MOSFET
-
25W连续、28W峰值多输出电源电路
图1所示的DVD或机顶盒电源是用TNY280PN(U1)设计的一个反激式转换器。在这个设计中，10 μF的C4电容选择了U1的增强限流点，在启动或负载瞬态（DVD开仓）时可使电源输出28 W的峰值功率。图 1. 25 W连续、28 W峰值多输出
-
高压电机控制系统的设计考量
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
-
业界最小6A、17V降压DC/DC转换器（TI）
TPS54620的面积锐减60%，作为一款完整的6A电源解决方案，其面积还不足195mm2。性能特点：SWIFT器件支持6A连续、8A峰值负载电流以及1.6～17V的功率级输入电压；1.6MHz同步转换器不仅集成两个高效MOSFET（26mΩ与19mΩ
-
高压电机控制系统的设计考量
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
-
高压电机控制系统的设计考量
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
-
基于LNK564DN的5V,350mA(1.75W)反激式电源电路
图1所示的隔离反激式电源是围绕着LinkSwitch-LP产品系列的LNK564DN(U1)而设计。在90-265 VAC的通用输入电压范围内输出可达5 V/350 mA(1.75 W)。二极管D1和D2对交流输入电压半波整流。存储电容(C1)和L1衰减传导EMI。电
-
12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
-
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电
-
昭和电工量产表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
昭和电工宣布，成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC（碳化硅）外延晶圆（EpitaxialWafer）。该晶圆的平滑性为0.4nm，较原产品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现单晶Si
-
东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件
东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。如果采用该技术层叠100层16GB的内存芯
-
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电
-
3A输出、同步DC-DC转换器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC转换器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。内置MOSFET能够提供比异步方案更高的效率(93%)，同时还可简化设计，并极大地降低EMI。MAX15041能够输出高达3A电流，非常适合电信和网
-
3A输出、同步DC-DC转换器（Maxim）
Maxim推出同步DC-DC转换器MAX15041，器件在3mm x 3mm的小尺寸封装中集成了MOSFET。内置MOSFET能够提供比异步方案更高的效率(93%)，同时还可简化设计，并极大地降低EMI。MAX15041能够输出高达3A电流，非常适合电信和网
-
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究
近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会
-
东大等验证7μm的极薄晶圆也不会影响CMOS元件
东京大学研究生院工学系研究专业附属综合研究机构与日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同开发出了可将300mm晶圆（硅底板）打薄至7μm的技术。如果采用该技术层叠100层16GB的内存芯片
-
短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究
近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入，人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性。由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也会
-
符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC（ON Semiconductor）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV84
-
低通态电阻650V MOSFET（ST）
意法半导体近日推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh™ V制造工艺和工业标准TO-247 封装，是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。意法半导
-
针对应用选择正确的MOSFET驱动器
现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
-
两款N沟道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计，能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路（
