当前位置:首页 > 电源 > 功率器件
[导读]图1所示的隔离反激式电源是围绕着LinkSwitch-LP产品系列的LNK564DN(U1)而设计。在90-265 VAC的通用输入电压范围内输出可达5 V/350 mA(1.75 W)。二极管D1和D2对交流输入电压半波整流。存储电容(C1)和L1衰减传导EMI。电

图1所示的隔离反激式电源是围绕着LinkSwitch-LP产品系列的LNK564DN(U1)而设计。在90-265 VAC的通用输入电压范围内输出可达5 V/350 mA(1.75 W)。

二极管D1和D2对交流输入电压半波整流。存储电容(C1)和L1衰减传导EMI。电感L1外包热缩套管,如果有元件损坏可做保险丝使用。

LNK564DN利用次级绕组电压在偏置绕组上的反射电压来稳定输出电压和电流,不再需要光耦器。在CV状态(从空载到1.75 W)通过跳过MOSFET开关周期来实现稳压。当负载电流超过峰值功率点后,MOSFET开关周期不再被跳过,而是内部振荡频率随FEEDBACK(FB)脚的电压成比例地降低,当此电压达到0.8-1.7 V之间时,为输出VI曲线提供CC部分。如果FB脚的电压低于0.8 V,U1将进入自动重启动状态。在自动重启动时,大约每800 ms控制器会使MOSFET开关大约100 ms。LNK564DN会一直保持在自动重启动状态,直到FB脚的电压在100 ms开关周期内上升到0.8 V以上。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

抢答系统的基本功能就是抢答双方,谁先按下抢答开关,谁的答题指示灯就亮。主持人根据答题指示灯即可知道谁先按下了开关。

关键字: 抢答系统 指示灯 开关

传统上,耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件,因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断,因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只...

关键字: MOSFET 数字开关

本教程说明了使用不同设备驱动电阻负载的电源电路的几种仿真。其目的是找出在相同电源电压和负载阻抗的情况下哪个电子开关效率最高。

关键字: 电源电路 电阻负载

为了最大限度地减少开关阶段的功耗,必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流,则功率损耗会降低,因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说,栅极驱动器执行以下任务...

关键字: 栅极驱动器 MOSFET

在设计功率转换器时,可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真,带来更多的工程洞见。然而,与制造商精细的器件模型相比,这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文...

关键字: 英飞凌 MOSFET

该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管,MOSFET提供交流发电机励磁电流,当励磁关闭时,续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制,当车辆的整体电能需求不断变化时,使输...

关键字: 意法半导体 稳压器 MOSFET 续流二极管

2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子,其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流,独特的栅极负压开启机制,使其成为...

关键字: MOSFET 栅极驱动

在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...

关键字: 电力电子 MOSFET IGBT

碳化硅 (SiC) 因其更高的开关频率和更高的结温而被称为汽车行业传统 Si IGBT 器件的继承者。此外,在过去五年中,汽车行业已成为基于 SiC 的逆变器的公共试验场。事实证明,通过 SiC 转换器实现 DC 到 A...

关键字: 碳化硅 (SiC) MOSFET

工业电源应用基于强大的电动机,可以在风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱中找到。三相电动机是最常见的电动机类型,它由适当的基于逆变器的驱动器驱动。它可以吸收一个行业高达 60% 的全部电力需求,因此对于驱动器提供高...

关键字: Si MOSFET 工业电源

功率器件

12198 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭