当前位置:首页 > 消费电子 > 消费电子
[导读]  下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电

  下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。
 
1、MOS管种类和结构
  MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符号。


 
  至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。
  对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。
  在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。下图是MOS管的构造图,通常的原理图中都画成右图所示的样子。  (栅极保护用二极管有时不画)


 
  MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,如右图所示。这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,在MOS管的驱动电路设计时再详细介绍。


 
2、MOS管导通特性
  导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。
  NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
  PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
  右图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。可以看出小电流时,Vgs达到4V,DS间压降已经很小,可以认为导通。


 
3、MOS开关管损失
  不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压(如2SK3418特性图所示),这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
  MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
  下图是MOS管导通时的波形。可以看出,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。


 
4、MOS管驱动
  跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
  在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
  第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
  上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
  MOS管的驱动电路及其损失,可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细,所以不打算多写了。
5、MOS管应用电路
  MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。这三种应用在各个领域都有详细的介绍,这里暂时不多写了。以后有时间再总结。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

传统上,耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件,因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断,因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只...

关键字: MOSFET 数字开关

MOS管的米勒效应会在高频开关电路中,延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性,可谓是臭名昭著,各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。

关键字: MOS管 Miller 效应

为了最大限度地减少开关阶段的功耗,必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流,则功率损耗会降低,因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说,栅极驱动器执行以下任务...

关键字: 栅极驱动器 MOSFET

在设计功率转换器时,可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真,带来更多的工程洞见。然而,与制造商精细的器件模型相比,这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文...

关键字: 英飞凌 MOSFET

该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管,MOSFET提供交流发电机励磁电流,当励磁关闭时,续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制,当车辆的整体电能需求不断变化时,使输...

关键字: 意法半导体 稳压器 MOSFET 续流二极管

2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子,其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流,独特的栅极负压开启机制,使其成为...

关键字: MOSFET 栅极驱动

在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...

关键字: 电力电子 MOSFET IGBT

天气很热的时候,一把手持小风扇可让男生免于汗流浃背,女生不用香汗淋漓。

关键字: 手持小风扇 电路原理

碳化硅 (SiC) 因其更高的开关频率和更高的结温而被称为汽车行业传统 Si IGBT 器件的继承者。此外,在过去五年中,汽车行业已成为基于 SiC 的逆变器的公共试验场。事实证明,通过 SiC 转换器实现 DC 到 A...

关键字: 碳化硅 (SiC) MOSFET

工业电源应用基于强大的电动机,可以在风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱中找到。三相电动机是最常见的电动机类型,它由适当的基于逆变器的驱动器驱动。它可以吸收一个行业高达 60% 的全部电力需求,因此对于驱动器提供高...

关键字: Si MOSFET 工业电源

消费电子

95935 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭