21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的光电子事业部推出专用演示套件,可演示使用一个数字式接近传感器和两个分立的红外发射器,为任意设备增加非接触式向右划、向左划、探
高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD侧视封装和GaAIAs表面发射器以及MQW技术,发光强度达到82mW/sr21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3.2mm x 2
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD侧视封装的新款940nm高速红外发光二极管---VSMY14940和VSMB14940。这两款器件基于GaAIAs表面发射器和多量子井(MQW)技术,具有
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出
器件导通电阻低至1.5Ω,具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有1.5Ω低导
新款无线充电接收线圈可在有或没有对准磁铁的情况下工作,具有高磁导率屏蔽,效率超过75%21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用铁粉的、符合WPC(无线充
新款无线充电接收线圈可在有或没有对准磁铁的情况下工作,具有高磁导率屏蔽,效率超过75%宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月31 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用铁粉
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,强化其采用标准0402~1206外形尺寸的MC AT专业和精密系列车用薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag器件是为了在汽车和工业应用等恶劣环境下提供稳定的性能而设计,具有低至&plus
21ic讯日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,强化其采用标准0402~1206外形尺寸的MC AT专业和精密系列车用薄膜片式电阻。Vishay Beyschlag器件是为了在汽车和工业应用等恶劣环境下提供稳定的性能而设计,具有低
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出在满功率情况下工作温度达+155℃,在+250℃下线性降额至0W功率的新款精密车用薄膜片式电阻---PATT。该电阻通过AEC-Q200认证,工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用通过Defense Logistics Agency(DLA) drawing 13017认证的玻璃钽密封的新款液钽电容器---13017电解电容器。器件可用于航空和航天系统,是业内首款通过DLA认
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司现在提供特定精密薄膜片式电阻的实验室样品套件---MCS 0402(LCS 96/4)和MCT 0603(LCT 96/4)套件,帮助工程师开发各种各样电子系统的原
【导读】宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 10 月14 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会,该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、
【导读】日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会,该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管,同期还
20V P沟道器件具有低导通电阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封装日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只
【导读】宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 9 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,荣获中国电子元器件行业的门户网站---慧聪网评选出的2013电子行业十大电子元件类“最具贡献企业
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,荣获中国电子元器件行业的门户网站---慧聪网评选出的2013电子行业十大电子元件类“最具贡献企业奖”。慧聪网的中国电子行业十大颁发给对中国电子元器