效率飞跃：博世发布第三代碳化硅芯片

• 博世集团董事会成员、博世智能出行集团主席马库斯·海恩博士: “我们正助力客户将动力更强、效率更高的电动汽车推向市场。”

• 博世新一代碳化硅芯片综合性能提升20%，进一步提高了整个电驱系统的效率。

• 自2021年投产以来，博世已在全球交付超过6000万颗碳化硅芯片。

• 博世正通过全面的本地研发、测试与生产布局，敏捷响应中国新能源汽车市场的快速发展。

北京——碳化硅(SiC)半导体是提升电动汽车效率和增加续航里程的关键。博世正快速推进该领域的研发：公司已正式推出第三代碳化硅芯片，并逐步开始向全球汽车制造商提供样片。这意味着越来越多的电动汽车将很快搭载博世最新的第三代碳化硅产品。博世董事会成员及博世智能出行集团主席马库斯·海恩博士表示：“碳化硅半导体是电动出行的核心‘节拍器’。它们精准控制能量流，并使其达到最高效的状态。”

“中国不仅是全球最大的新能源汽车市场，更在800V高压平台等前沿电气化架构的普及上处于领先地位。” 博世功率半导体亚太区负责人Bruno Schuster表示，“我们全新的第三代碳化硅技术专为满足这些严苛的高效能需求而设计。博世将结合强大的全球技术储备与不断完善的本地服务能力，全力赋能中国本土汽车客户的创新与发展。”

数十亿欧元投资全球制造网络和本土赋能

碳化硅半导体的开关速度和运行效率显著高于传统硅芯片。它们不仅能大幅减少能量损耗，还能在电子设备中实现更高的功率密度。博世的新一代半导体不仅提供了技术优势，更带来了显著的经济效益。“我们的新一代芯片性能提升了20%，且尺寸比上一代更为精巧，”马库斯·海恩博士解释道。“这种小型化是实现未来更高成本效益的长期关键因素，因为我们可以在单片晶圆上产出更多的芯片。通过这种方式，博世为高性能电子器件的进一步普及做出了实质性贡献。”自2021年推出第一代产品以来，博世已在全球交付了超过6000万颗碳化硅芯片。

近年来，博世在碳化硅芯片的研发领域不断取得进展，并持续投资其位于德国罗伊特林根的工厂，在先进的200毫米晶圆上生产第三代芯片。此外，公司计划投资约19亿欧元，用于装备近期在美国加利福尼亚州罗斯维尔收购的生产基地。预计今年内，该工厂将生产出首批用于客户测试的样片。位于德国和美国的两家工厂将共同保障半导体供应，这不仅创造了满足全球市场需求的产能，也将为汽车行业打造更具韧性且稳健的全球供应链。在中期规划中，博世的目标是将碳化硅功率半导体的年产能提升至数亿颗级别。

针对产能布局，博世功率半导体亚太区负责人Bruno Schuster补充道：“这一全球制造网络将深度赋能中国客户。当前，中国新能源汽车产业正经历从400V向800V高压平台的跨越式发展，对高性能、高可靠性碳化硅芯片的需求极为迫切。博世通过在德国罗伊特林根与美国罗斯维尔的双中心布局，不仅能为客户提供充足的、跨区域的产能保障，更能通过极具韧性的全球供应链，助力中国本土主流车企在全球化出海进程中规避供应风险，确保生产的安全与稳定。”

深耕本土，敏捷服务

除全球产能布局外，博世已在上海组建了专门的碳化硅功率半导体研发团队及测试实验室，旨在针对本土新能源汽车市场环境下的差异化需求提供敏捷的技术支持。同时，博世在苏州落成的碳化硅功率模块生产基地已实现本土化量产。这种“全球芯片供应+本土模块制造+本地研发验证”的组合方案，确保了博世能够与本土主流汽车制造商及本土先进衬底供应商展开深度协同，显著缩短从样片到量产的转化周期，共同定义未来高效出行的技术标准。

独特的“博世工艺”是成功的关键

为了使芯片在面积缩小的同时实现更强劲的性能，博世运用了其独特的制造专长。公司采用了自1994年起即在业内广泛认可的“博世工艺”(Bosch process)。这种最初为传感器开发的沟槽刻蚀技术，能够在碳化硅中构建出高精度的垂直结构。这种结构大幅提高了芯片的功率密度——这也是博世第三代碳化硅芯片产品在包括800V的高压应用场景中展现卓越性能的关键因素。