意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展

中国，2021年12月10日——服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

作为 SiC 功率 MOSFET市场的领导者，意法半导体整合先进的设计技术，进一步挖掘 SiC的节能潜力，继续推动电动汽车和工业市场变革。随着电动汽车市场加速发展，许多整车厂商和配套供应商都在采用 800V驱动系统，以加快充电速度，帮助减轻电动汽车重量。新的800V系统能够帮助整车制造商生产行驶里程更长的汽车。意法半导体的新一代SiC 器件专门为这些高端汽车应用进行了设计优化，包括电动汽车动力电机逆变器、车载充电机、DC/DC变换器和电子空调压缩机。新一代产品还适合工业应用，可提高驱动电机、可再生能源转换器和储能系统、电信电源、数据中心电源等应用的能效。

意法半导体汽车和分立器件产品部副总裁、功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli表示：“我们继续推进这一激动人心的技术发展，在芯片和封装两个层面不断创新。作为一家全盘掌控供应链的 SiC产品制造商，我们能够为客户提供性能持续改进的产品。我们在不断地投资推进汽车和工业项目，预计 2024 年意法半导体 SiC营收将达到 10 亿美元。”

意法半导体目前已完成第三代SiC技术平台相关标准认证，从该技术平台衍生的大部分产品预计在2021年底前达到商用成熟度。标称电压650V、750V至1200V的器件将上市，为设计人员研发从市电取电，到电动汽车高压电池和充电机供电的各种应用提供更多选择。首批上市产品是有650V的 SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的的SCT160N75G3D8AG。

参考技术信息

意法半导体最新的平面 MOSFET利用全新的第三代 SiC技术平台，为晶体管行业树立了新的品质因数 (FoM) 标杆，业界认可的FoM [导通电阻 (Ron) x 裸片面积和 Ron x 栅极电荷 (Qg)]算法表示晶体管能效、功率密度和开关性能。用普通硅技术改善 FoM 变得越来越困难，因此，SiC 技术是进一步改进FoM的关键。意法半导体第三代SiC产品将引领晶体管FoM进步。

碳化硅MOSFET的单位面积耐受电压额定值比硅基MOSFET高，是电动汽车及快速充电基础设施的最佳选择。SiC还有一个优点，寄生二极管开关速度非常快，电流双向流动特性适用于电动汽车对外供电(V2X)车载充电机(OBC)，可以从车载电池取电供给基础设施。此外，SiC晶体管的开关频率非常高，为在电源系统中使用尺寸更小的无源器件提供了可能，从而可以在车辆中使用更紧凑和轻量化的电气设备。这些产品优势还有助于降低工业应用中的拥有成本。

意法半导体第三代产品有多种封装可选，包括裸片、分立功率封装(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK)和ACEPACK系列的功率模块。这些封装为设计者提供了创新功能，例如，专门设计的冷却片可简化芯片与电动汽车应用的基板和散热器的连接，这样，设计人员可以根据应用选择专用芯片，例如，动力电机逆变器、车载充电机 (OBC)、DC/DC变换器、电子空调压缩机，以及工业应用，例如，太阳能逆变器、储能系统、电机驱动装置和电源。