当前位置:首页 > 技术学院 > 技术解析
[导读]为增进大家对芯片的认识,本文将对时钟芯片设计过程中的一些要点以及处理时钟芯片数据丢失的问题予以介绍。

对于芯片,其实大部分人都或多或少有所了解,比如手机芯片以及常听说的高通芯片等。为增进大家对芯片的认识,本文将对时钟芯片设计过程中的一些要点以及处理时钟芯片数据丢失的问题予以介绍。如果你对芯片具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。

一、时钟芯片设计要点

1.晶振起振时间

晶振的起振时间在很大程度上依赖于晶振的特性和电路布局。高的串行等效电阻(ESR)和过大的电容负载是延长启动时间的主要因素。用含有推荐的特性的晶振和依照推荐的电路布局的电路通常能在一秒内启动晶振。

2.电池连接

大多数FS的RTCs都包括一个电池输入引脚。电池是用来保持当主电源断开后时钟能够正常走动。对于大多数设计来说,所用的电池都是钮扣锂电池。

有的RTCs用电源电压作为参考来决定什么时候VCC是有效电平。当VCC低于最小值时,器件进入写保护,禁止外部访问器件。当器件工作在VCC条件下时,VBAT输入将处于高阻状态。如果电池没有连接到VBAT上,或是连接到串行二极管,VBAT的输入处于高电平漂浮状态,引起RTC进入写保护。在FS的大多数时钟内部都提供反充电写保护,以消除外部二极管。

3.读/写时间和日期

由于在读或写的过程中可以进行内部寄存器更新而没数据的破坏,大多数FS 的时钟都提供能确保访问时间和日期的方法。

辅助缓冲寄存器(二级缓存)也用在串行时钟上。当访问(读)RTC时,当前时间和日期传送到辅助寄存器。一个脉冲读信号将从辅助寄存器中读数据,在内部寄存器连续更新时辅助寄存器的内容将保持不变。 下一次访问(当芯片有效,复位或开始)将又一次传送数据。当寄存器被写时类似的过程发生,除非数据在访问之前没有被内部寄存器刷新。

在时间保持非易失性(NV)RAM时钟上,用TE位或R和W位封存用户寄存器。

有多总线时钟里。有几种方法能确保时间和日期寄存器在访问间不变。以下方法即是:

4.设置位

B寄存器的SET位设为1时,用户双缓存时间和日期寄存器被锁存了。内部寄存器仍然正常的不断更新。

进程中的更新标志位(UIP)每秒将产生一个脉冲。当UIP位变为高电平后,更新将在244uS后发生。如果UIP位读出的为低电平,为避免更新时的错误用户至少有244uS的时间可以读寄存器的数据。

如果使能,那么在每一次更新周期之后产生一次中断,该周期表明999ms能读有效时间和日期信息。

5.默认的寄存器值

如果数据手册中没有特殊说明,初始上电寄存器值不确定。也就是说,它们和DROM或SRAM是一样:初始上电后,用于实际的数据是随机的。

二、设计时,如何解决数据丢失/数据破坏问题

有两种情况可以引起数据丢失:无意中的写时钟或反相小故障脉冲电压用到IC上。因为CH或/EOSC位(带晶振控制位的时钟上)处于默认的停止状态, 反相电压输入到IC所造成的数据丢失有时能辨认。另外,大多数而不是所有的寄存器中的数据会破坏。无意中的写一般发生在电源周期时,但是通常只影响一个寄存器,而不影响串行时钟。

在上电和/或掉电时许多现代的开关电源将在VCC上产生一个-5V或-6V或甚至更大的毛刺。通过输入保护二极管,这个负电压耦合到内部时钟电源。如果电源能够提供比电池大的电流,那么数据将丢失。在某种情况下,用一个肖特基二极管可以钳位这个负毛刺电压。另外一个时钟上的负电压源来自RS232连接器。如果带时钟芯片的PCB板掉电,上电的PC或其他器件通过RS232连接器连接到那块板上,RS232收发器芯片可能将负电压传到不上电的PCB板上的其他芯片。

无意中的写也可能造成数据破坏。在写保护为有效前,在上电或掉电期间处理器能写入错误的数据。在上电和掉电时,接口电路可能迫使输入引脚进入写状态。在多总线时钟的情况下,地址信号锁存在ALE的下降沿。如果/WE和/CS在器件处于写保护之前变为低电压,那么在最后寄存器中最后访问的数据会破坏。VCC的上升时间和下降时间应核对无误以用于数据手册的需要。

不正确的中断程序处理造成间断的数据问题。在某些情况下,时间和数据信息复制到RAM中去了,并且复制不是同步的。最后,在电路仿真(IEC)硬件配置不当,可以造成奇怪的行为。

以上便是此次小编带来的“芯片”相关内容,通过本文,希望大家对时钟芯片具备一定的了解。如果你喜欢本文,不妨持续关注我们网站哦,小编将于后期带来更多精彩内容。最后,十分感谢大家的阅读,have a nice day!

声明:本文仅代表作者本人观点,不代表本站观点,如有问题请联系站方处理。
换一批
延伸阅读

本文中,小编将对FPGA芯片予以介绍,如果你想对它的详细情况有所认识,或者想要增进对FPGA芯片的了解程度,不妨请看以下内容哦。

关键字: 安路科技 FPGA 芯片

在这篇文章中,小编将为大家带来FPGA芯片的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。

关键字: FPGA 芯片 紫光同创

5月13日消息,软银集团旗下英国半导体IP公司Arm于当地时间周四公布了2021年的业绩数据。其2021年营收为27亿美元,同比增长35%。其中,授权业务的营收同比大幅增长61%,至11.3亿美元;芯片技术特许权使用费增...

关键字: ARM ARM架构 芯片

芯片对于大家来说不是很陌生,虽然我们见不到它,但几乎我们身边的每个电子产品都离不开它,其实芯片就是物理课上老师们所说的硅制半导体结构,那么芯片短缺是因为硅的缺少吗?其实硅并不是稀有材料,硅在沙子中就能很轻松提取到,既然制...

关键字: 智能汽车源 汽车 芯片

据媒体报道,西班牙方面已经批准一项计划,到2027年在半导体和微芯片行业投入122.5亿欧元(约合871亿元)。

关键字: 西班牙 芯片 半导体 微芯片

为增进大家对APF的认识,本文将对APF的优势,以及APF和无源电力滤波器予以介绍。

关键字: APF 指数 有源电力滤波器

为增进大家对APF的认识,本文将对APF的作用,以及APF的功能予以介绍。

关键字: APF 指数 有源电力滤波器

为增进大家对APF有源电力滤波器的认识,本文将对APF有源电力滤波器,以及APF有源电力滤波器的实用意义予以介绍。

关键字: APF 指数 有源电力滤波器

据sammobile消息,Galaxy Club内部人员表示,三星目前正在研发两款新的Exynos芯片,一款用于旗舰设备,一款用于中端设备。

关键字: 三星 Exynos芯片 旗舰设备 芯片

近日,存储芯片大厂美光(Micron)发布表了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上,预计在 2022 年底左右...

关键字: 美光 存储芯片 NAND Flash 芯片

技术解析

1620 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭