意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管，具备更好的节能降噪特性

时间：2022-06-23 18:58:39

关键字：意法半导体晶体管二极管

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[导读]2022 年 6 月 23 日，中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。

2022 年 6 月 23 日，中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗，同时优化体寄生二极管特性，降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。

新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为 10V 时，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大导通电阻 (Rds(on))分别为 0.8毫欧和和0.75毫欧。新MOSFET的裸片单位面积(Rds(on))电阻非常低，因此可以采用节省空间且热效率高的 PowerFLAT 5x6 封装。

意法半导体先进的STripFET F8 技术的开关速度十分出色，低芯片电容可以最大限度地降低栅漏电荷等动态参数，提高系统能效。设计人员可以在 600kHz 至 1MHz 范围内选择开关频率，允许使用尺寸更小的电容和磁性元件，节省电路尺寸和物料清单成本，提高终端应用的功率密度。

适当的输出电容和相关的等效串联电阻可防止漏源电压出现尖峰，并确保在管子关断时突降振荡时间更短。凭借这一点和体二极管的软恢复特性， STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG发出的电磁干扰 (EMI) 低于市场上其他类似器件。此外，体寄生二极管的反向恢复电荷很小，可最大限度地减少硬开关拓扑的能量损耗。

栅极阈压 (VGS(th))在 STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 中受到严格控制，以确保器件之间的阈压差异很小，以便并联多个 MOSFET功率管，处理更大的电流。短路耐受能力也非常出色，可承受高达1000A的电流(脉冲短于10µs)。STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 分别是第一款符合工业标准和 AEC-Q101汽车标准的 STPOWER STripFET F8 MOSFET 器件，是电池供电产品和计算、电信、照明和通用功率转换应用的理想选择。

STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 现已量产。