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[导读]Nexperia 是基本半导体领域的专家,最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中,该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件有助于满足智能和电动汽车中下一代应用的需求

Nexperia 是基本半导体领域的专家,最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中,该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件有助于满足智能和电动汽车中下一代应用的需求。可用的 AEC-Q101 设备系列涵盖 Nexperia 的所有产品组,包括:

· BC817QBH-Q 和 BC807QBH-Q 系列 DFN1110D-3 中的 45 V、500 mA NPN/PNP 通用晶体管。

· DFN1006BD-2 中的 BAT32LS-Q 和 BAT42LS-Q 通用肖特基二极管

· 采用 DFN1006BD-2 封装的 BAS21LS-Q 高速开关二极管。

· PDTA143/114/124/144EQB-Q 系列 50 V 100 mA PNP 配备电阻器的晶体管 (RET) 系列采用 DFN1110D-3 封装。

· 2N7002KQB – 60 V N 沟道沟槽 MOSFET 和 BSS84AKQB – 50 V、P 沟道沟槽 MOSFET,采用 DFN1110D-3 封装。

无引线 DFN 封装比 SOT23 封装小 90%,这有助于减少最新车辆中使用的电子元件数量迅速增加所需的电路板空间量。侧面可润湿的侧面特征提供了非常可靠的焊点质量自动光学检测 (AOI)。Nexperia 的 DFN 封装具有出色的热性能和高 P tot,并且通过了延长寿命和可靠性测试,也是业内最坚固的封装。

“Nexperia 率先采用侧润湿 DFN,现在在这些微型无引线封装中提供最广泛的符合 AEC-Q101 标准的分立元件”,Nexperia 双极分立器件业务集团高级副总裁兼总经理 Mark Roeloffzen 表示。“最近发布的 DFN1412D-3、DFN1110D-3 和 DFN1006BD-2 封装提供了 460 多种不同的大批量器件。通过在这些微型封装中提供更多器件,Nexperia 为设计工程师提供了更多机会,使他们的设计面向未来,对未来的移动性产生影响。这项新技术已经在主要一级汽车供应商的设计和承诺方面取得了成功。”

Wise-integration 是GaN(氮化镓)电源和 GaN IC数字控制专家,发布了其首款商用产品:120mOhm WI62120 半桥电源 IC,它为电力电子设计人员提供了前所未有的功率密度、效率、和成本效益。Wise-integration 的 WiseGaN® 系列功率器件包括经 JEDEC 认证的 WI62120,这是一种 650V 增强模式GaN-on-silicon集成电路。它利用 GaN 的固有特性来提高电流容量、电压击穿和开关频率,适用于 30W 至 3kW的高效和高密度功率转换应用。

“我们很自豪能够将我们的第一个 WiseGan® 产品发布投入生产,”Wise-integration 首席执行官 Thierry Bouchet 说。“120 mOhm WI62120 是市场上最紧凑的半桥,采用 6×8 PQFN 封装,可最大限度地提高客户在高功率密度、性能和降低材料成本方面的利益。我们相信,我们的客户会发现它在所有 ACF 拓扑和 PFC-LCC 架构中都非常有用,并将帮助他们利用更小、更高效和更具成本效益的电力电子设备所提供的优势。”

使用无桥图腾柱功率因数转换 (PFC) 有源钳位反激式 (ACF)、双电感单电感器的消费类(例如用于移动和桌面设备的超快速充电器)、电动汽车和工业 AC/DC 电源和设计电容器 (LLC) 谐振转换器和同步降压或升压半桥拓扑是目标市场领域。

氮化镓 (GaN) 是下一代宽禁带半导体技术,在开发卓越的电力电子设备方面变得至关重要。它的速度比硅快 20 倍,功率高达三倍(或电荷的三倍),而硅器件的尺寸和重量只有硅器件的一半。

这款 WiseWare® 嵌入式数字控制软件扩展了这些优势;后续几代 WiseGan® 器件将把门控、保护、安全和其他设计人员友好的功能结合到 AC/DC GaN 应用中。


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