目前最高制造精度，美Zyvex产出0.7nm线宽芯片

据业内消息，近日美国一家商业精密制造公司Zyvex表示制出了亚纳米分辨率光刻系统ZyvexLitho1，这个系统没有采用EUV光刻技术，但是却能产出只有0.7nm线宽的芯片，是目前最高制造精度。

在现阶段的半导体领域，整个行业都还在向着5nm以下芯片发起冲锋，而此级别的尖端半导体制程离不开ASML的EUV光刻机，仅仅一台EUV光刻机的价格就高达数亿美元，而且要想研发出更小制程的芯片，EUV光刻机也无能为力。

Zyvex是成立于上世纪末主要开发和商业化原子精密制造 (APM) 技术的企业，以制造具有原子精密度的产品。目前公司的业务为开发APM和开发微细加工/3D微组装技术。

本次的亚纳米分辨率光刻系统ZyvexLitho1是基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式，产出只有0.768nm线宽的芯片，仅仅相当于2个Si原子的宽度，是EUV光刻机远无法达到的，也是当前制造精度最高的光刻系统。

ZyvexLitho1所采用自我显影的电子束光刻(EBL)技术的核心是使用氢去钝化光刻(HDL)从Si(100) 2×1二聚体列(dimer row)重建表面去除氢(H)原子。同时拥有无失真成像、自适应电流反馈回路、自动晶格对准、数字矢量光刻、自动化和脚本、内置计量这五大功能。

对于量子计算机来说，高精度的固态量子器件以及纳米器件和材料都是非常重要的，因此ZyvexLitho1所产出的芯片将会用于量子计算机。而且ZvyvexLitho1系统并不是一款实验室原型产品，而是一款已经可以商用的产品，Zyvex公司正在接收其订单，预计大约6个月才能交货。

从目前来看，ZyvexLitho1这类的EBL电子束光刻机的精度可以超过ASML的EUV光刻机，但是相比之下前者也有一定的劣势，比如是产量很低，不具备大规模制造芯片的能力，只对少量高精度芯片/器件有直接帮助，因此价格也会非常昂贵。