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[导读]激励电压数据在屏幕上显示为 xxx/xxx 的形式,其中前面的数字表示实际的激励电压,后面的数字表示激励电压源电压 VSEN。 高压脉冲激励和低压扫频激励方法所使用的电源均来自于 VSEN,相对来说,使用比较高的 VSEN 时能得到更好的传感器信号,但有些传感器必须使用比较低的 VSEN 电压才会得到稳定的频率数据。

河北稳控科技多功能手持VH501TC采集仪如何设置振弦传感器的激励方法和激励电压
VH501TC 提供多种振弦传感器激励方法,以最大限度兼容所有厂家和型号的振弦传感器。 振弦传感器激励方法参数位于实时数据窗口右侧,共有 5 种方法可选,分别用
MODTH0~MODTH4 表示。各方法说明如下:

激励电压数据在屏幕上显示为 xxx/xxx 的形式,其中前面的数字表示实际的激励电压,后面的数字表示激励电压源电压 VSEN。 高压脉冲激励和低压扫频激励方法所使用的电源均来自于 VSEN,相对来说,使用比较高的 VSEN 时能得到更好的传感器信号,但有些传感器必须使用比较低的 VSEN 电压才会得到稳定的频率数据。
VH501TC 有两个版本, 当需要修改激励方法或者激励电压源时, 若设备背面有两个旋转开关, 则直接旋转开关即可; 若没有旋转开关时需要用上述操作按键的方法进行参数修改。 激励方法旋转开关的档位含义与上表相同, 激励电压旋转开关的档位 0~15 表示设置 VSEN 为 0~15V(前 5 档固定为 5V)。
注意: 建议 VSEN 的电压不要超过 12V, 推荐设置为 5~8V。 如果 VSEN 电压设置太高, 测量某些小阻值(小于 200 欧姆) 传感器时会有传感器或者设备损坏的危险。在使用过程中,应注意观察显示于屏幕中的振弦信号质量值,针对某类或者某些传感器,不同的激励方法对信号质量影响会很大,激励方法的切换和使用应以信号质量最高为选取标准。

温度传感器类型
VH501TC 可测量数字式温度传感器 DS18B20 和电阻式 NTC 热敏电阻,根据实际连接的传感器类型切换参数。温度传感器类型图标和文字位于实时数据窗口右侧,参数说明如下:

日期、时间设置
日期和时间的修改必须进入参数修改模式或者使用修改指令进行修改。
在实时数据窗口,长按【换页/设置】按键直到右侧参数颜色改变,短按【换页/设置】按键切换参数项,直到选中日期或者时间的文字,短按【上一个】或者【下一个】按键修改日期和时间值,继续短按【换页/设置】按键选中其它参数项,直到全部修改完成,长按【换页/设置】按键直到红色文字消失。
注:修改参数时,若长按【上一个】或者【下一个】按键,可实现参数值的快速修改。

10. 恢复出厂参数
关机状态下,按住第二个按键不放,再按开机键开机,当屏幕出现“Parameterreset” 提示时松开按键即可。
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