为应对三星半导体扩张，台积电计划建 10 座晶圆厂
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据业内信息报道，前不久韩国三星表示投入 2300 亿美元打造全球最大半导体生产基地，作为直接竞争对手，台积电将计划在台湾新建 10 座晶圆厂来扩产未来 2~3nm 先进制程工艺，这对全球半导体晶圆代工市场来说像一场军备竞赛。
之前韩国政府的一项计划表示三星将在未来 20 年内在半导体中会投资 大约 2300 亿美元，同时要求私营部门向科技领域投资 4220 亿美元，包括芯片、电池和显示器，三星欲打造全球最大半导体生产基地。
据悉，韩国总统尹锡悦表示：“最近从芯片开始的经济战场已经扩大，各国正在提供大规模补贴和税收支持，我们必须支持私人投资以确保进一步增长，政府必须提供选址、研发、人力和税收支持。”
韩国政府的战略旨在将芯片和其他战略技术的设施投资的税收减免率从 8% 提高到 15%。除此之外，韩国政府将在五年内提供 200 亿美元用于研发，2760 亿美元用于开发芯片封装，以及 770 亿美元用于工业水电基础设施建设。
或许是该信息对晶圆代工巨头台积电产生了危机感，台积电计划放大布局规模，对台积电来说在先进制程工艺方面是有优势的，在其擅长的 3nm 制程世代将会是一个大规模且有长期需求的制程技术。
据悉，日前台积电在法说会指出，尽管库存调整仍在持续，但已观察到 3nm 的 N3 制程和N3E 制程皆有许多客户参与，量产第一年和第二年产品设计定案数量将是 5nm 的 N5 制程工艺的 2 倍以上。
现阶段台积电 3nm 制程技术无论在 PPA(效能、功耗及面积)及电晶体技术上，都已是全球半导体业界最先进的技术，预计未来几年市场对 3nm 制程工艺的芯片有强劲需求，而台积电已经全力拉升 3nm 制程工艺的产能。
据悉，台积电 3nm 生产重镇以南科 Fab 18 厂区为主体已完成 Fab 18 厂区第五期至第八期共四座 3nm 制程工艺晶圆厂，未来将视市场需求决定是否兴建第九期的 3nm 晶圆厂。而台积电已宣布将会在美国亚利桑那州 Fab 21 厂区兴建第二期 3nm 晶圆厂，预计2025年之后可以进入量产。
同时台积电正在准备 2nm 制程晶圆厂预计会落脚在新竹与台中科学园区，共计有的六期工程已按计划持续进展中。根据台积电公布资料，台积电在竹科宝山二期兴建的 2nm 超大型晶圆厂 Fab 20 将会兴建 1~4 期共四座晶圆厂，台积电正在争取中科台中园区扩建二期开发计划的建厂用地，在取得用地后会再兴建至少两座 2nm 制程晶圆厂。
从上述一系列事件可以看到，台积电在未来五年中已经在台湾规划了 2~3nm 先进制程工艺的晶圆厂逾十座。如果用先进制程 3 万片/月产能的晶圆厂投资金额大约为 200 亿美元来计算，台积电对此的总投资金额将超过 2000 亿美元，并且带动包括材料、设备等台积电大联盟供应体系的生态圈。而这个数字和三星半导体的 2300 亿美元的投资基本算是势均力敌。
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