锗二极管有哪些特性?锗二极管的死区电压是多少?

二极管已经是电子领域的朋友老生常谈的一个话题了，但是大家对所有的二极管都有所了解吗?为增进大家对二极管的认识，本文将对锗二极管、锗二极管死区电压、锗二极管特性等予以介绍。如果你对二极管具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、二极管

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。

晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

二、什么是锗二极管

锗二极管是一种半导体器件，它由一个n型掺杂的锗晶体和一个p型掺杂的锗晶体组成。它的特点是具有较高的饱和电流，较低的漏电流，较高的阻断电压，较低的漏电压，较高的温度稳定性和较低的噪声。它的作用是用于放大信号，控制电流，控制电压，控制功率，控制频率，控制阻抗等。它的应用场景包括电源管理，放大器，滤波器，检测器，控制器，调制器，变频器等。

锗二极管和二极管都是由两个极性的半导体构成的电子器件，它们的主要区别在于材料不同，锗二极管是由锗材料制成，而二极管是由硅材料制成。此外，锗二极管的放大增益更高，但其截止频率更低，而硅二极管的放大增益更低，但其截止频率更高。

锗二极管和硅二极管的主要区别在于其特性参数不同，锗二极管的放大增益更高，但其截止频率更低，而硅二极管的放大增益更低，但其截止频率更高。

此外，锗二极管的漏电流更小，而硅二极管的漏电流更大，锗二极管的温度系数更小，而硅二极管的温度系数更大。

具体测试方法是：将万用表拨到RX100或RX1K档位，测量二极管的正向导通电阻，根据表头指针的偏转角度来判断。如果指针都指示在中间或者中间偏右的位置，表明该二极管为硅管，如果指针偏到靠近0欧姆的位置，表明该二极管是锗管。

常见的锗二极管型号有2N3819、2N3904、2N3906、2N4401、2N4403、2N5401、2N5551等。

三、锗二极管的死区电压是多少

锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。

锗二极管的死区电压是指在锗二极管的放大器中，当输入电压低于死区电压时，放大器的输出电压将不再变化。主要是为了防止放大器的输出电压在输入电压微小变化时出现过大的变化，从而保证放大器的稳定性。

锗二极管的死区电压一般在0.2V到0.5V之间，具体值取决于锗二极管的型号。

四、锗二极管特性与应用

锗二极管(DO-7玻璃封装)

1N60P(2-1K60)VR：40V，Cj：1pF;

1N60(1K60)VR：40V，Cj：1pF;

1N34A(1K34A)VR：40V，Cj：1pF。

主要用于：计算器，收音机，电视机等检波电路。

锗二极管压降一般都在0.2v~0.4v。

像2AP9、2AP10这类小功率的锗二极管有时还会用于收音机的检波电路中。检波电路采用锗二极管的优点就是效率高、检波失真小。

锗二极管压降一般都在0.2v~0.4v。 主要用于：计算器，收音机，电视机等检波电路。

锗二极管特性还包括正向导通和反向截止。

正向导通：如果给二极管正极的电压高于负极电压(正向偏置电压)，只要正极电压达到一定的值，二极管导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两引脚之间的电阻很小，相当于接通。电流流动方向是从正极流向负极，电流不能从负极流向正极，否则二极管已损坏。

反向截止：如果给二极管正极加的电压低于负极电压(反向偏置电压)，二极管处于截止状态，二极管两引脚之间电阻很大，相当于开路。只要是反向电压，二极管中就没有电流流动，如果加的反向电压太大，二极管会击穿，电流从负极流向正极，说明二极管损坏。

稳压二极管具有反向击穿的特性，快恢复二极管相当于两个稳压二极管。

以上便是此次带来的二极管相关内容，通过本文，希望大家对二极管已经具备一定的了解。如果你喜欢本文，不妨持续关注我们网站哦，将于后期带来更多精彩内容。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day!