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[导读]10月25日消息,知名半导体行业观察机构TechInsights称,在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片,它来自中国顶级的3D NAND制造商长江存储。

10月25日消息,知名半导体行业观察机构TechInsights称,在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片,它来自中国顶级的3D NAND制造商长江存储。

据悉,TechInsights在2023年7月推出的致态SSD中发现了由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片,这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。

本次的发现,超越了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。

TechInsights表示,尽管受到制裁后困难重重——包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件,以及被列入美国的实体名单, 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。

近期存储市场的低迷,以及许多内存制造商专注于节省成本的举措,可能为长江存储提供了机遇,使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

值得注意的是,三星目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC,因此没有在236层(V8) 3D NAND上开发QLC。

但是,三星在上周举行的“内存技术日”上,首次公开了面向移动市场的QLC产品——采用176层(V7)技术的512GB UFS 3.1产品。

SK海力士的主要业务是TLC,而不是QLC产品。

越来越多的证据表明,中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。

此前,TechInsights是首批拆解华为Mate 60 Pro的机构,在拆解完之后,TechInsights副主席Dan Hutcheson给出了如下评价:

“这确实是一个令人惊叹的质量水平,是我们始料未及的,它肯定是世界一流的。因此,我们要祝贺中国,能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力,而且还在继续发展技术。”

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