AI需求缺口引发“算力基建芯片荒”，HBM以三倍产能消耗加剧市场价格分化

二季度以来，与AI相关的芯片市场正在经历一场前所未有的价格风暴。持续多年的AI热潮为何在今年集中体现在芯片价格上？

此前AI技术多停留在模型训练与小规模验证阶段，如互联网大厂的AI产品以探索、测试为主，业务渗透率相对较低。但今年以来，AI业务迈入高渗透期：AI产品已成熟上线，业务渗透率大幅提升，传统互联网产品也在加速AI重构，带动用户交互频次显著增加。需求的大幅增加直接引发了与AI相关的各类芯片品类价格飙升，从GPU到光模块芯片，再到ASIC等品类，最终传导至直接构建起AI算力底座的存储芯片。

根据Counterpoint Research的最新预测，存储价格预计在2025年底前将再上涨30%，并在2026年上半年进一步上涨20%。这一现象表面上是价格波动，背后却是技术革命对传统产业格局的彻底重塑。

行业周期性与AI需求激增，驱动芯片涨价潮

业内分析指出，一方面，芯片价格上涨延续了行业固有的周期性波动规律，价格起伏是市场供需关系的正常反映；另一方面，此次暴涨的核心驱动力在于AI产业的爆发式增长。在行业周期性与AI需求激增的共同推动下，价格上涨趋势已从最核心的AI GPU，蔓延到了数据中心内部高速连接所需的光模块芯片、执行特定AI任务的专用芯片（ASIC）等多个关键领域，进一步加剧了目前全球芯片制造与封装产能的紧张。其中，存储芯片的价格波动尤为明显，其缺货涨价对硬件OEM与ODM厂商的冲击持续扩大。存储芯片价格一路飙升，手机厂商陷入“有钱难抢货”的困境，部分厂商甚至放缓采购节奏，以避免盈利进一步受损。

而造成存储芯片价格飙升的原因是市场供应端全面转轨向具备高带宽、低功耗、低延迟的HBM产品。

AI算力需求巨幅增长下首要面临的是“内存墙”的严峻挑战——传统内存的数据传输速度已无法满足万亿参数模型的海量处理需求。这一瓶颈直接催生了新一代存储标准：高带宽内存（HBM），通过3D堆叠多个DRAM芯片，利用硅通孔技术实现了数据传输速度的倍增，已成为AI算力的核心存储基建，更从本质上推动了市场变革——单台AI服务器的DRAM配置需求已飙升至传统服务器的8倍，这也直接造成了市场供应端的压力。

HBM需求挤占传统存储产能：3倍产能消耗下的DRAM供应链困局

然而，HBM的繁荣背后是对传统DRAM产能和供给的剧烈冲击。美光首席财务官Sumit Sadana在“2025 KeyBank技术大会”上公开表示，“HBM结构复杂，其晶圆产能消耗量达到标准DRAM的3倍以上。”

这种结构性产能倾斜严重挤占了通用DRAM的生产资源，直接导致DDR4等传统产品供应缺口扩大，这一影响已在全球范围内显现。腾讯科技分析，内存涨价的直接原因是AI巨头们对HBM存储的需求，挤占DRAM颗粒产能，同时HBM的产能争夺是导致当前通用DRAM供应短缺和价格上涨的主要因素之一。

国际产能转移加剧“芯片荒”，下游产业链承压

与此同时，国际头部厂商的市场战略调整进一步加剧了供应紧张。据《财经》报道，2025年4月，三星、SK海力士、美光等国际大厂已相继发布DDR4的EOL（产品生命周期结束）通知，大幅减产或停产DDR4产品。存储行业具备极强的头部带动效应，三大原厂的纷纷停产也直接带动产业整体向DDR5及HBM产能的直接迁移，国内头部存储厂也同步调整其产能快速跟随，从而与全球产业的整体节奏一致以保持市场竞争力。

产能转移与产品迭代的双重影响下，国内芯片市场供应“青黄不接”的现象尤为突出。对此，中芯国际联合CEO赵海军表示，存储芯片供应短缺以及价格上涨，导致手机、网络通信设备等行业客户拿货趋于谨慎。据集邦科技预测，2026年通用DRAM市场将出现供应缺口，供需之间的裂痕，正通过价格信号被急剧放大。

业内普遍认为，此次芯片价格上涨并非由几家厂商所主导，而是AI产业发展引发的行业性结构变革，叠加产能战略调整后的必然结果。随着HBM4等新一代产品的量产，产能竞争将进一步加剧，短期内市场供需紧张格局或难以缓解，芯片价格高位运行态势可能持续。