英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装

【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻(RDS(on))值60 mΩ。

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性

此次扩展加入的产品涵盖多种应用，例如汽车行业的车载充电器和高低压 DCDC 转换器，以及工业应用中的服务器和电信开关电源(SMPS)和电动汽车充电基础设施等。其4 mΩ超低导通电阻可支持对静态开关性能有特殊要求的应用，例如 eFuse、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等。凭借这一领先的性能，设计人员能够开发出更高效、更紧凑且更可靠的系统，以满足各类严苛的要求。

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而开发，非常适合想要突破功率密度和效率极限的设计人员。该技术还具有出色的 RDS(on) x QOSS 和出色的 RDS(on) x Qfr，可有效降低硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其是在硬开关用户案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2兼具高阈值电压 VGS(th)(25°C情况下典型值为4.5 V)和超低 QGD/QGS 比值，增强了其对寄生导通(PTO)的抗扰性。该系列还具有更强大的栅极驱动能力，支持的静态栅极电压和瞬态栅极电压分别可达-7 V和-11 V。这种增强的耐压性为工程师提供了更大的设计裕量，实现了与市面上其他器件的高度兼容。