ITECH艾德克斯电子即将于5月底发售大功率密度的直流电子负载IT8900A/E系列,电压最高可达1200V,并机功率最大可以达到384 kW,体积更小,4U高度最大输入6kw功率, 重量更轻。为满足更快的测试需求,其内部整体结构进行了全面升级,电流上升下降速度更快,并具有超高的性价比。
茂矽近期已发函通知客户涨价,预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15~20%,高单价客户及高售价产品优先投片,6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求,重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。
英特尔现在每周能够生产多达五片硅晶片,其中包含多达26个量子位的量子芯片。这一成就意味着英特尔大幅增加了现有量子器件的数量,并可望在未来几年稳步增加量子比特数。英特尔量子硬件总监Jim Clarke接受采访时透露,目前用于小规模生产的技术最终可能会扩展到超过1000个量子位。由于温度波动引起的膨胀和收缩限制使得工程师不能简单地扩展芯片上的量子位数。
电子级多晶硅材料是集成电路的关键基础材料,过去中国市场上的集成电路用多晶硅材料基本完全依赖进口。电子级多晶硅是纯度最高的多晶硅材料。相对于太阳能级多晶硅99.9999%纯度,电子级多晶硅的纯度要求达到99.999999999%。5000吨的电子级多晶硅中总的杂质含量相当于一枚1元硬币的重量。
ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架构,工作温度范围为 –40°C 至105°C 。所有引脚均具有强固的静电放电 (ESD) 保护。器件标称电源电压为 ±3.3 V,电源电流低于120 μA (典型值)。器件使用标准的正逻辑控制电压,简化了接口设计。
此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计/制造综合实力。双方将利用GaN Systems公司的GaNPXTM封装技术和罗姆的功率元器件传统封装技术,联合开发最适合GaN器件的产品。这将能够最大限度地挖掘并发挥GaN器件的潜力。另外,双方通过提供兼容产品,将能够为双方的客户稳定地供应GaN器件。
TDK公司推出全新的应用于滤波器领域的爱普科斯 (EPCOS) 金属化聚丙烯膜交流(MKP AC)电容器B33331V*系列。该系列元件的额定电压为460 VRMS,对应峰值电压为650 V,其电容值范围为2 μF 至50 μF。
采样保持 (THA) 输出噪声有两个关键噪声分量:采样噪声和输出缓冲放大器噪声。本文将重点探讨这两个分量。
IPLA 32高度可定制,针对汽车和嵌入式大电流,大功率DC/DC转换器
与系统模拟输入和输出节点交互作用的外置高压瞬变可能破坏系统中未采用充分保护措施的集成电路 (IC)。现代 IC 的模拟输入和输出引脚通常采用了高压静电放电 (ESD) 瞬变保护措施。人体模型 (HBM)、机器模型 (MM) 和充电器件模型 (CDM) 是用来测量器件承受 ESD 事件的能力的器件级标准。这些测试旨在确保器件能承受器件制造和 PCB 装配流程中的静电压力,通常在受控环境中实施。
鼎阳的SDS1004X-E系列超级荧光示波器标配的波特图功能,可以配合SDG或SAG系列函数发生器绘制出被测件的波特图,令我们很直观地观察到电路的幅频和相频曲线。区别于传统手动绘制波特图的繁琐步骤,示波器的波特图功能可以大大节约工程师的时间和精力。
在前段时间,黑金刚、FDK、德国伊萨、TT、美格、龙尚、中科微、进芯相继宣布签约同一代理商——中国十大本土分销商之一的世强,由此一来世强大力丰富了产品线。而电感作为最常见的被动元件之一,世强及世强元件电商也有丰富布局。这些产品的相关资料,都可以在世强元件电商免费查询下载,其产品也可在世强元件电商进行询价和购买。
为了让IoT里不可缺少的传感器器件更加省电,新日本无线特别推出了轨到轨输入输出运算放大器NJU77552。此运算放大器有1.7MHz带宽、1回路50μA的超低消耗电流、高EMI抑制性能等特点,并且已经进入量产阶段。
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品,及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极
一、光敏电阻光敏电阻是用硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器,表面还涂有防潮树脂,具有光电导效应。 二、特性光敏电阻对光线十分敏感。光照愈强,阻值就愈低。随着光照强度的升高,电阻值迅速降低,可降