报道称,修发贤团队新研制的砷化铌纳米带材料,电导率是铜薄膜的一百倍,石墨烯的一千倍。同时,区别于超导材料只能在零下几十度超低温下应用,新材料砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效。这一发现也为材料科学寻找高性能导体提供了一个可行思路,在降低电子器件能耗等方面有重大价值。
Silicon Labs(亦称“芯科科技”)日前推出一系列隔离模拟放大器、电压传感器和Delta-Sigma调制器(DSM)器件,设计旨在整个温度范围内提供超低温漂的精确电流和电压测量。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。
安森美半导体新的SiC MOSFET另一独特的优势是具有专利的终端结构,增加了可靠性和强固性,并增强了工作稳定性。NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流,并提供高的雪崩能力和强固的短路保护。
新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能,同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率德州仪器(TI) (纳斯达克代码: TXN)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力,还可为高压系统构筑
新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能,同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率
据了解,自2018年3月打桩,在各级主管部门的支持下,该工程顺利推进,2018年10月11日主体结构封顶,2019年3月15日设备搬入、并将于2019年6月投片、2019年9月15日开始进行量产。
达能指出,2018年太阳能市况骤变,致整体产业供应链于下半年呈现极不稳定的状态。公司主要产品之多晶硅芯片价格下跌达6成,使得市场价格远低于生产制造之现金成本。即使 2019 年以来价格略为回稳,公司也致力于各项成本降低,但多晶硅芯片价格却仍低于现金成本,以致无法避免卖越多亏越大的窘境。
晶圆厂资本支出,主要来自于台积电、三星、英特尔等大型芯片制造商投入的设备支出金额,随着整体晶圆厂投资步调放缓甚至转趋衰退,意味整个产业链景气同步向下,从上游的高通、联发科等IC设计商,到台积电等晶圆制造商,及日月光等封测厂,将受影响。
Littelfuse, Inc.今日推出首款PxxxxS4xLRP系列SIDACtor®保护晶闸管,该器件提供可靠的解决方案用以保护复合视频消隐同步 (CVBS)信号线路和端口避免由于过压瞬变而损坏。
德州仪器的高度集成的宽VIN DC/DC降压稳压器可延长耐用型工业和汽车应用的电池寿命
集成无源器件在我们的行业中并不是什么新事物——它们由来已久且众所周知。实际上,ADI公司过去曾为市场生产过这类元件。当芯片组将独立的分立无源器件或者是集成无源网络作为其一部分包含在内时,需要对走线寄生效应、器件兼容性和电路板组装等考虑因素进行仔细的设计管理。
RS本业获利状况的合并营益暴增92.9%至57.51亿日元(营益率22.6%)、连续第3年创下历史新高纪录;显示最终获利状况的合并纯益大增71.3%至36.20亿日元。
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出12款全新逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)以及专为新型SAR ADC产品系列设计的配套差分放大器,以满足应用市场对更高速度和更高分辨率模数转换的需求。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升板级可靠性。