TDK株式会社推出新系列爱普科斯 (EPCOS) 环形磁芯共模电感- B82724J8*N040系列。新系列产品符合RoHS标准,可在高达800 V DC或250 V AC的额定电压下连续工作,专为变频器中的直流链路滤波而开发
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
日前传闻国巨电子中国区经理表示MLCC电容将降价10%,不过国巨方面马上辟谣否认,表示MLCC没有降价空间,未来只可能继续涨价。
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI) 的四通道1 GSPS ADS54J64模数转换器 (ADC)。14位ADS54J64 ADC提供高信噪比 (SNR)、高带宽以及500 MSPS的最大输出采样率。
这两年,除了内存、显卡价格疯狂涨不停,一些基本的电子元器件也在纷纷涨价,包括PCB电路板、电感、电容等,尤其以MLCC最为典型。MLCC就是片式多层陶瓷电容,集成度高,体积小,常用于高端产品,全球市场规模超过11
12英寸先进模拟芯片集成电路产业基地、OLED面板设备制造、第三代半导体材料氮化镓等多个项目落户即墨区。
中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队,研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。
ROHM面向处理微小信号的光传感器、声纳及硬盘中使用的加速度传感器等需要高精度感测的工业设备应用,开发出业界顶级的低噪声CMOS*1运算放大器“LMR1802G-LB”。
由于MOSFET受工控及车用电子需求提升,国际大厂纷纷转向高阶MOSFET及IGBT相关应用,外商逐渐退出低功率MOSFET市场,包括:意法、英飞凌等国际IDM大厂下半年MOSFET产能早已被预订一空,加上目前8吋晶圆代工产能极缺,形成MOSFET、指纹辨识、电源管理芯片等抢占产能情况。
近日,应用材料公司庆祝Producer®平台诞生20周年,出货量达到5,000台。该平台用于制造全球几乎所有的芯片。
TDK 集团的引线式爱普科斯 (EPCOS) 金属氧化物片状压敏电阻经认证工作温度增加至 105°C(此前为 85°C)。B722 系列压敏电阻通过了 UL 1449(第 4 版)和 IEC 61051 标准的认证。 因工作温度增加至 105°C,
TDK 集团再次扩展了 HVC 系列高压接触器产品组合,推出两款新锐产品,即工作电流分别为 300A 和 500A 的 HVC300 和 HVC500。新款接触器可开断高达 900 V 的直流高压。另外, TDK 集团还能根据客户要求提供工作电压高
TDK 集团扩展了其用于直流链路的爱普科斯 (EPCOS) 薄膜电容器系列。新扩展的 B3277*H 系列适用于严苛的环境条件,并且在环境温度为 60°C,相对湿度为 95%,以及额定电压条 件下进行了历时 1,000 小时的温湿度偏
TDK 公司扩展了爱普科斯 (EPCOS) 3 线 EMC 滤波器 B84243*的产品系列,包括 10 款电流高 达 280A 的滤波器。该系列产品中的所有 18 款滤波器的额定电压为 530V AC。该系列滤波器 的性能针对 EN 61800−3:2004+
零漂移放大器采用独特的自校正技术,可提供适用于通用和精密应用的超低输入失调电压(Vos)和接近零的随时间和温度输入失调电压漂移(dVos/dT)。TI的零漂移拓扑结构还提供了其他优势,包括无1/f噪声,低宽带噪声和低失真——简化了开发复杂性并降低了成本。这可以通过两种方式中的一种来完成;斩波器或自动调零。本技术说明将解释标准的连续时间和零漂移放大器之间的差异。