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安森美推出新的多芯片模块PWM降压稳压器系列提供领先市场的电流密度和全集成的MOSFET

安森美半导体(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中压脉宽调制(PWM)降压转换器。

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2018-06-26

MOSFET 安森美降压稳压器
英飞凌将在 PCIM Asia 2018 展示面向整个电能供应链的前沿技术和解决方案

英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台，展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外，英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文，并在同期的国际研讨会上进行交流。

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2018-06-25

英飞凌 igbt MOSFET
Littelfuse 碳化硅(SiC)肖特基二极管降低能源成本和空间要求

Littelfuse公司近日宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管，扩充其碳化硅电源半导体产品组合。相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧洲展会期间举办。

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2018-06-22

littelfuse 碳化硅(sic)肖特基二极管
低功耗SiC二极管实现最高功率密度

相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。

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2018-06-22

二极管 sic
意法半导体推出离线转换器提高5-30V电源的雪崩耐量、能效和灵活性

意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET，可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器，其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压，并提高诸多消费和工业电源的灵活性。

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2018-06-22

意法半导体离线转换器 MOSFET
超软IGBT续流二极管具备行业领先的低损耗特性

英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列：英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能力，关断速度可达5 kA/μs。Prime Soft以广受好评的基于单硅芯片设计的IGCT续流二极管系列为基础。该二极管的典型应用为使用电压源变换器的HVDC/FACT和中压驱动设备，这些应用的特点是对功率损耗的要求很高。

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2018-06-22

igbt 续流二极管
二极管最高涨价超17倍产能吃紧订单直接排到年底

业内人士向记者表示，受到上游原材料涨价和下游应用驱动，二极管的市场价格在暴涨，原本通用型二极管——安森美2N7002，从去年每颗4分钱，最高涨价每颗到7毛钱，最高价格涨幅超过17倍。

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2018-06-15

二极管硅晶圆
夏普今年10月量产业界最高光输出的绿色激光二极体

夏普此次将量产的绿色激光二极体的光输出达 130mW，较夏普现行产品提高 3.3 倍，波长为 520nm。光输出越高越能增加色彩的鲜艳度。

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2018-06-15

夏普激光二极管
手机话音，经听筒的声电转换以后送入电源集成电路

在逻辑部分，接收的RXI、RXQ模拟基带信号在调制解调器U501内部完成D/A转换、解密及自适应均衡后将数字基带信号从U501的6#送入CPU的10#，在CPU内进行信道解码，去掉纠错码源以及取实控制信息以后，恢复的话音数据流经数据线和地址线，传送到语音器U801进行解码。

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2018-06-15

电源集成电路手机通讯
新品速递：IT8900A/E大功率直流电子负载发售在即

ITECH艾德克斯电子即将于5月底发售大功率密度的直流电子负载IT8900A/E系列，电压最高可达1200V，并机功率最大可以达到384 kW，体积更小，4U高度最大输入6kw功率, 重量更轻。为满足更快的测试需求，其内部整体结构进行了全面升级，电流上升下降速度更快，并具有超高的性价比。

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2018-06-12

直流电子负载 it8900a/e
MOSFET、IGBT下半年恐现缺货潮涨价不可避免！

茂矽近期已发函通知客户涨价，预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15～20%，高单价客户及高售价产品优先投片，6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求，重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。

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2018-06-12

igbt MOSFET
英特尔已能够生产多达26个量子位的量子芯片

英特尔现在每周能够生产多达五片硅晶片，其中包含多达26个量子位的量子芯片。这一成就意味着英特尔大幅增加了现有量子器件的数量，并可望在未来几年稳步增加量子比特数。英特尔量子硬件总监Jim Clarke接受采访时透露，目前用于小规模生产的技术最终可能会扩展到超过1000个量子位。由于温度波动引起的膨胀和收缩限制使得工程师不能简单地扩展芯片上的量子位数。

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2018-06-12

英特尔量子计算芯片全硅晶圆
不再靠进口我国半导体集成电路用硅料已达国际一流质量标准

电子级多晶硅材料是集成电路的关键基础材料，过去中国市场上的集成电路用多晶硅材料基本完全依赖进口。电子级多晶硅是纯度最高的多晶硅材料。相对于太阳能级多晶硅99.9999%纯度，电子级多晶硅的纯度要求达到99.999999999%。5000吨的电子级多晶硅中总的杂质含量相当于一枚1元硬币的重量。

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2018-06-08

半导体集成电路硅料
采用紧凑栅格阵列封装的ADI 44 GHz硅开关提供业界最低插入损耗

ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架构，工作温度范围为 –40°C 至105°C 。所有引脚均具有强固的静电放电 (ESD) 保护。器件标称电源电压为 ±3.3 V，电源电流低于120 μA (典型值)。器件使用标准的正逻辑控制电压，简化了接口设计。

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2018-06-08

技术绝缘硅片硅开关 (soi)
GaN Systems与罗姆联手致力于GaN功率器件的普及

此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计/制造综合实力。双方将利用GaN Systems公司的GaNPXTM封装技术和罗姆的功率元器件传统封装技术，联合开发最适合GaN器件的产品。这将能够最大限度地挖掘并发挥GaN器件的潜力。另外，双方通过提供兼容产品，将能够为双方的客户稳定地供应GaN器件。

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2018-06-05

罗姆功率器件 gan systemsl

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低功耗SiC二极管实现最高功率密度

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超软IGBT续流二极管具备行业领先的低损耗特性

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不再靠进口我国半导体集成电路用硅料已达国际一流质量标准

采用紧凑栅格阵列封装的ADI 44 GHz硅开关提供业界最低插入损耗

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