• 世界竞标茂德12寸晶圆厂

    半导体大厂世界先进（5347）将展开茂德12寸晶圆厂议价！据相关人士指出，昨日世界先进出手竞标茂德位于中科的12寸晶圆厂，并已取得优先议价权，不过由于世界先进的出价，与茂德重整人团所订定的195亿元底价，尚有相当

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    2012-12-13
    晶圆代工 晶圆厂 格罗方德 半导体

  • 石英晶振的原理与电路组成设计

    摘 要：石英晶振是一种高精度、高稳定度的振荡器，是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振组件，以取代LC 选频电路，频率稳定度高达10 - 9 - 10 - 11 ,广泛应用于各类电子产品的振荡电路中，如通信系统中的频率发生器

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    2012-12-13
    电路 晶振 电平 石英

  • 有源负载的基本概念

    利用恒流源代替放大电路中的负载，就构成有源负载放大电路。这种放大电路不仅单级电路电压放大倍数高，还可以改善放大电路的其他性能。因此，这种有源负载放大电路已成为模拟集成电路设计特色之一。图Z0604是有源负载

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    2012-12-13
    电流 差动放大电路 集成运算 IC

  • 集成电路恒流源

    恒流源电路是指能够输出恒定电流的电路。它具有很高的动态输出电阻，在集成电路中，广泛地应用于晶体管的偏置电路、差动放大电路的射极电路、直流电平移动电路、放大电路的负载等。恒流源电路形式较多，这里仅讨论其

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    2012-12-13
    集成电路 恒流源 恒流源电路 IC

  • 集成电路的特点

    集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路。一、集成电路中元器件的特

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    2012-12-13
    集成电路 硅片 电容 电阻

  • 差动放大电路的改进

    由式GS0512可知，要想提高差动放大电路的共模抑制比，就要增大共模负馈电阻Re，但增大Re会使其直流压降增大，要保持合适的静态工作点，EE就要增大很多，这显然是不经济的。恒流源电路具有输出电阻很高而直流压降较小

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    2012-12-13
    恒流源电路 差动放大电路 IC CE

  • 基本差动放大电路的动态分析

    一、差模放大倍数若输入到图Z0502电路中，差分对管（T1、T2）基极的信号电压Ui1、Ui2大小相等、极性相反，这种输入方式称为差模输入方式，所加信号称为差模信号，常用Uid表示，Uid = Ui1 - Ui2，。差动放大电路对差模

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    2012-12-13
    差动放大电路 差模信号 UI RC

  • 基本差动放大电路的静态分析

    Ui = 0时，图Z0502电路的等效直流通路如图Z0503（a）所示。由于电路结构对称，计算静态工作点时，可从半边等效电路着手，图Z0503（a）的半边电路等效过程如图Z0503（b）。这里画等效电路的关键是对Re 的处理。因为Re

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    2012-12-13
    电流 并联 等效电路 差动放大电路

  • 基本差动放大电路抑制零点漂移的原理

    图Z0502电路保持了图Z0501电路高度对称的特点，这是抑制零点漂移的条件之一，重要的是电阻Re对零点漂移有很强的负反馈作用。由于电路对称，所以，IC1 = IC2，IE1 = IE2，流过Re 的电流为IE＝2 IE1 。当电源电压波动或

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    2012-12-13
    电路 电流 差动放大电路 电路抑制

  • 变频器故障判断与养护

    我们在实际情况中对电机运转故障进行查询时，应先查询故障编码，根据故障类型进行检查。如果电机不能运转，则应首先确认端子紧固情况，同时检测输出端子U、V、W的电压值，确认负载情况和检查运转指令是否输人，以及给

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    2012-12-13
    指令 变频器 功能模块 逆变桥

  • 模拟视频的系统带宽与分辨率

    简介确保最佳画质是视频系统设计师的终极目标。随着高清电视的到来，图像分辨率以及视频信号带宽大幅增高。由于视频系统倾向于支持多种分辨率和接口，因此，设计工程师必须仔细考虑系统带宽要求，以确保信号不失真。

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    2012-12-13
    模拟 带宽 频率响应 BSP

  • 苹果或提早转向台积电代工处理器最快明年Q2

    瑞士信贷分析师预计，苹果有可能以更快的速度将处理器订单从三星转向台积电。瑞士信贷对日本、中国大陆和台湾地区的供应商进行的调查显示，苹果有可能最早于明年第二季度通过台积电28纳米工艺生生处理器晶片。而根据

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    2012-12-13
    三星 苹果 处理器 台积电

  • 产业专家：14奈米节点是重大考验

    2012年度国际电子元件大会( IEDM )于美国时间12月10日在旧金山登场，与会专家表示，半导体制程迈向14奈米节点时，可能无法达到通常每跨一个世代、晶片性能可提升30%的水准，甚至只有一半；但仍会增加大量成本，主要是

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    2012-12-13
    晶片 节点 EUV AN

  • SEMI：第三季全球半导体设备出货金额略减

    SEMI日前公布的最新统计数据显示， 2012年第三季全球半导体设备出货金额达到90.6亿美元，较今年第二季下调12%，且比去年同期下滑15%。全球半导体设备订单在2012年第三季达到67.1亿美元，比去年同期下滑12%，也比2012

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    2012-12-13
    半导体设备 SEMI WIDTH STYLE

  • 芯片制作工艺需追赶世界潮流 加倍努力

    随着科技的发展，在半导体设计制造方面，各相关厂商相继突破制造工艺，提高市场竞争力。2012年初，富士通半导体宣布交付其为中小型IC设计公司量身定制的55nm创新工艺制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工艺)，一度引发

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    2012-12-13
    富士通 芯片 NI SOC设计
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