• 调频与调幅的比较

    1． 调频比调幅抗干扰能力强外来的各种干扰、加工业和天电干扰等，对已调波的影响主要表现为产生寄生调幅，形成噪声。调频制可以用限幅的方法，消除干扰所引起的寄生调幅。而调幅制中已调幅信号的幅度是变化的，因而

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    2012-12-21
    带宽 调频 频带 信噪比

  • 调频电路：变容二极管调频电路

    实现调频的方法很多，大致可分为两类，一类是直接调频，另一类是间接调频。直接调频是用调制信号电压直接去控制自激振荡器的振荡频率（实质上是改变振荡器的定频元件），变容二极管调频便属于此类。间接调频则是利用

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    2012-12-21
    电容 变容二极管 调频电路 调制信号

  • 调频波的表达式

    一个简谐波的瞬时角频率等于相位对时间的导数，即：所以，简谐波的相位为将GS0914式代入式GS0916可得：把式GS0917代入式GS0913，并设初相角φ0 = 0，得调频波的表达式：式中，mf 称调频系数，当mf ＝0时，式GS091

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    2012-12-21
    KHZ 带宽 调频 频带

  • 调频的特点

    调频波的形成过程及调频波的波形如图所示，由图可见调频波（调频信号）的特点是：其频率随调制信号振幅的变化而变化，而它的幅度却始终保持不变。当调制信号的幅度为零时，调频波的频率称为中心频率ω0。当用一

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    电压 载波 调制信号 调频

  • 大信号直线性检波

    当检波器的输入调幅信号幅度较大（大于0.5V）时的检波称为大信号检波。其特点是二极管运用在伏安特性曲线的线性部分，虽然输入调幅信号的幅度较大，但在整个周期内二极管不总是导通的。图Z0911是大信号二极管直线性检

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    2012-12-21
    信号 二极管 线性 检波

  • 小信号平方律检波

    从调幅波中检出低频信号的过程也是一个频谱变换过程。要完成这一变换，必须使用非线性元件。为了从变换后产生的多种频率成份中，取出低频信号，并将不需要的成份滤掉，检波器的负载应具有低通滤波器的特性。因此，检

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    信号 二极管 线性 检波

  • 调幅电路

    任何一种非线性器件都可以用来产生调幅彼。晶体管是一种非线性器件，只要让其工作在非线性（甲乙类，乙类或丙类）状态下，即可用它构成调幅电路。一般总是把高频载波信号和调制信号分别加在谐振功率放大器的晶体管的

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    2012-12-21
    晶体管 回路 调幅电路 调制信号

  • 调幅波的功率

    调幅波在不同的调制情况下，它的功率相差很大，如果把天线看做是发射机的负载，当它的等放电阻为RA时，则在没有调制的情况下。载波功率（一个周期内的平均功率）P0为：由于调制以后、已调波的振幅是变化的，因而，调

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    2012-12-21
    通讯 短波 载波 调幅发射机

  • 调幅波的频谱

    利用三角公式，可把式GS0905写成：该式表明，调幅波包含了三种频率分量，即：角频率为ω0的载波分量，角频率为（ω0+Ω）的上边频分量和角频率为（ω0 - Ω）的下边频分量。如果以频率&ome

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    2012-12-21
    正弦波 KHZ 带宽 频带

  • 文氏电桥振荡电路

    为克服RC移相振荡器的缺点，常采用RC串并联电路作为选频反馈网络的正弦振荡电路，也称为文氏电桥振荡电路，如图Z0820所示。它由两级共射电路构成的同相放大器和RC串并联反馈网络组成。由于φA= 0，这就要求RC串并

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    2012-12-21
    振荡电路 文氏电桥 RF

  • 波导带通滤波器与微带转换装置的设计

    摘要：利用三维仿真软件HFSS首先设计了K波段7阶电感E面带通波导滤波器，以及波导微带转换器，其中波导滤波器的中心频率为19 GHz，带宽为3 GHz，带内损耗小于0．1 dB，端口反射小于-20 dB；而波导-微带的转换器在1 6～

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    2012-12-21
    波导 带通滤波器 BSP HZ

  • 台积 明年底代工苹果CPU

    台积电（2330）吃苹果订单消息又有最新进度，BernsteinResearch分析师诺曼（MarkNewman）指出，苹果将等到台积电于2013年底导入20纳米制程技术之后，才会从三星转单至台积电，产品可能是苹果介于A7与A8之间的中央处理

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    2012-12-21
    CPU 三星 苹果 台积电

  • Gartner:全球晶圆设备支出2014年恢复成长

    国际研究暨顾问机构Gartner发布最新预测，2013年全球晶圆设备(WFE)支出总计为270亿美元，较2012年减少9.7%。晶圆设备支出于2012年为299亿美元，较2011年的支出规模衰退17.4%；该市场可望在2014年恢复成长。Gartner表

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    2012-12-21
    晶片 晶圆 GARTNER JOHNSON

  • SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管

    SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin

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    2012-12-21
    晶体管 SoC DSO FINFET

  • 中国RFID标签已达5美分和60亿年产能力

    12月20日消息，昨日，福建中科光芯光电科技有限公司总投资4000多万元的半导体“光芯”高端微纳工艺生产线开机，这意味着中国光通信产业第一批“中国芯”将在福建诞生，产业链中最上游、最核心技术被攻克。近年来，中

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    2012-12-21
    光电 光通信 半导体激光器 RFID标签
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