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ARM与TSMC签订长期策略合作协定
英商安谋国际科技(ARM)公司以及TSMC 20日共同宣布签订长期合约，在TSMC工艺平台上扩展ARM系列处理器以及实体知识产权设计(physical IP)的开发。从目前的技术世代延伸到未来的20纳米工艺，以ARM处理器为设计核心并且采
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台积电心中有个梦
台积电中科12英寸超大型晶园厂(GIGAFAB)晶园15厂 (Fab15) 16日举行动土典礼，董事长张忠谋亲自主持动土仪式。他表示，未来将陆续投入该厂新台币3，000亿元资金，折合90亿美元，并预计在2011年6月开始装机，于2012年首
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TSMC大手笔扩产，12寸超大型晶圆厂动工
台积电(TSMC)日前在台中科学园区举行第三座12寸超大型晶圆厂(GIGAFAB)──晶圆15厂动土典礼。晶圆15厂是台积电第二座具备28纳米制程能力的超大型十二寸晶圆厂，基地面积18.4公顷，总建筑面积430,000 平方公尺，预计规
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台积电与ARM签订长约拓展28奈米与20奈米制程
晶圆代工厂台积电(2330-TW)与英商安谋国际科技(ARM)公司签订长期合约，在台积制程平台上扩展ARM系列处理器及实体智财设计开发，并规划共同拓展28奈米与20奈米制程。 双方合作内容包括，台积将Cortex?系列处理器
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英特尔下调处理器芯片价格最高降幅达48%
7月20日消息，英特尔或尽可能地从6核处理器中赚钱。不过，英特尔刚下调了某些价格便宜的处理器价格，有些酷睿i7和至强处理器的芯片价格甚至削减了一半。英特尔2.93GHz酷睿i7870处理器的降价幅度最大，每千个购买量的
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亚洲芯片厂商第二季获利增速强劲
*事件:海力士半导体、三星电子、东芝、尔必达记忆体二季度财报*时间:从7月22日(周四)起陆续公布*芯片价格上涨速度趋缓,从第四季起可能出现供过于求*智能手机、平板电脑将推动下半年增长记者MiyoungKim编译王洋/龚芳/
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尔必达赴台设NAND Flash研发中心
据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NANDFlash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。据悉，尔必达与台湾创新存储器公司（TIMC）
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台积电双管齐下8、12寸厂扩产
台积电2010年因应市场需求积极扩充产能，除落脚于中科第3座超大型12寸晶圆厂日前正式动土，未来将直接投产28奈米制程，并加速22奈米以下先进制程研发外，位于大陆上海松江8寸厂亦同步扩充产能，近期已扩充产能达单月
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第三季度DRAM价格或下滑
据韩国ETNEWS报导，过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格，可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌，但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少，但对台湾企业打击可能更大。据相关业者
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75V电压等级的固钽贴片电容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首类具有高达75V的工业电压等级的固钽贴片电阻器 --- T97和597D，增强了该公司TANTAMOUNT® 高可靠性电容器的性能，扩大其在高压固钽贴片电容器领域的领先地位。
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车联网引发网络承载变革
从“互联网”到“物联网”，世界正以不同的方式相互连接;而从“车载信息”到“车联网”，车与车之间也将相互连接，并成为人们相互交流的新途径。在不久前举行的“车联
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激光蚀刻技术于传统的化学蚀刻技术的比较
激光蚀刻技术比传统的化学蚀刻技术工艺简单、可大幅度降低生产成本，可加工0.15～1微米宽的线，非常适合于超大规模集成电路的制造。激光微调技术可对电阻进行自动精密微调，精度可达0.01%～0.002%，比传统加工方法的
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华天科技 逐步进入高端封装领域
华天科技(002185)于7月13日发布公告称：公司曾在2010年第一季度报告中预计2010年1-6月实现的归属于母公司所有者的净利润为4800-5500万元，现在修正为5900-6100万元，相当于公司2010年1-6月每股收益为0.16元。 点评
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GlobalFoundries投入EUV技术 4年后量产
继晶圆代工大厂台积电宣布跨入深紫外光(EUV)微影技术后，全球晶圆(Global Foundries)也在美国时间14日于SEMICON West展会中宣布，投入EUV微影技术，预计于2012年下半将机台导入位于美国纽约的12寸晶圆厂(Fab 8)，将于
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台积电的Fab 15开工建设，年底合计处理能力将达24万片/月
台湾台积电（TSMC）7月16日在台中举行了第三条300mm晶圆量产线“Fab 15”的动工仪式，同时还公开了Fab 15的组建计划以及增强其他300mm量产线晶圆处理能力的计划等。 据发布资料介绍，Fab 15的工厂概要如下。Fab 1
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