郎平就曾说过:“不要因为我们赢了一场就谈女排精神,也要看到我们努力的过程。女排精神一直在,单靠精神不能赢球,还必须技术过硬。”
电路板或格式电子系统中有各式各样的电源电路,隔离型、非隔离型,AC-DC、DC-DC,升压、降压等。他们都是为负载供电,负载多种多样,对应电源也多种多样。
分析师表示,时序迈入第3季出货旺季,由于三星旗舰机Note 7刚上市、新一代iPhone即将推出,加上中国品牌手机出货未见停歇,都让移动式存储器的需求同步大增。
Vishay推出业内首个在线磁珠阻抗计算器。能帮助设计者有效节省时间,简单明了地算出Vishay最常用的表面贴装磁珠在任何给定频率下的阻抗,并计算出在有直流偏压时规定频率下的有效阻抗。
三星公开讨论了后GDDR5时代的显卡存储器标准,提出新一代显卡存储器速率在14-16Gbps,电压1.35V,简单来说就是在保持时钟频率1.75GHz的情况下,将数据频率至少翻倍。
半导体与电子元器件顶尖工程设计资源与全球授权分销商贸泽电子宣布与贸泽电子的长期客户、全球备受赞誉的工程师、“流言终结者”格兰特·今原开启“国际空间站设计挑战”。
NAND Flash缺货压力已获缓解。然而以三星、美光、英特尔、东芝等业者的扩产计划来看,3D NAND产能将在明年大量开出,明年将是3D NAND杀戮战场。
钰创下半年受惠于英特尔Kaby Lake平台放量出货,以及PC市场进入传统备货旺季,总体出货量在8月之后已见明显增温。其中,USB-PD控制IC获得英特尔Kaby Lake平台参考设计认证通过,可望顺利打进一线ODM/OEM厂生产链。
科再奇在主题演讲中明确阐述FPGA是英特尔成长策略的关键,其动力来自成长引发的良性循环。在智慧化与连网化的世界中,“万物”能被撷取成一段资料、即时量测、还能从任何地方存取这些资料。
稳压管正向接法时与普通二极管特性一样。当稳压管在反向接法时,当反向电压小于击穿电压时,反向电流很小,呈现的动态电阻很大。通常工作电流越大,动态电阻越小,稳压性能越好。当反向电压大于击穿电压时,流过二极
平面NAND闪存的量产己经达15纳米,几乎接近它的物理极限,因此为了提高存储器的容量及带宽,向3DNAND技术迈进是必然趋势。但是3DNAND技术很复杂,相比较而言由于成品率低,导致成本高。
据悉,今年的iPhone 7系列可能会搭载3GB RAM,提升整体性能。至于Android 7.0,一个醒目的新功能分屏多任务,将成为系统的基本功能,或许多RAM容量的要求会更高。
在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司在本次峰会中展出首款PCIe SSD 控制芯片解决方案SM2260,作为PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片,SM2260为8通道设计,最高可支持2TB 容量。
英特尔公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期间撰文,阐述英特尔推动“融合现实”(Merged Reality)世界的愿景,及其为开发者、创客和发明者提供的革命性技术进步。
按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。