产能转移——3D NAND杀戮战场明年来临

今年NAND Flash制程持续往10纳米进行微缩，但因物理极限问题已出现发展瓶颈，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，而3D NAND产出又十分有限。在制程及产品线世代交替的青黄不接情况下，正好遇到智能手机及固态硬盘(SSD)备货旺季，NAND Flash因此出现缺货问题，5月以来价格持续走高。

据模组业者指出，美国品牌64Gb MLC规格NAND Flash现货价已涨到2.8～2.9美元，128Gb MLC规格NAND Flash现货价亦涨到3.8美元以上，5月以来平均涨幅介于8～14%。不过，由于NAND Flash涨价，带动eMMC/eMCP、存储器等终端价格大涨，8月以来价格涨高后已开始压抑终端需求，因此NAND Flash价格近期小幅走软，业界认为，供不应求压力已陆续获得缓解。

由于上游芯片厂持续将产能移转生产3D NAND，导致2D架构NAND Flash产出量下滑，因此今年5月以来NAND Flash价格持续走高，不过8月以来因为价格涨高后开始压抑终端需求，因此NAND Flash缺货压力已获缓解。然而以三星、美光、英特尔、东芝等业者的扩产计划来看，3D NAND产能将在明年大量开出，明年将是3D NAND杀戮战场。

在3D NAND的发展上，三星及东芝的进度最快，已经推出64层堆叠的3D NAND芯片，容量上看256～512Gb，而且在同样产线上，位元出货量可较NAND Flash成长3成左右。虽然3D NAND有助于NAND芯片厂成本下降，但是在所有NAND厂全数投入情况下，业界对明年3D NAND看法保守，价格战已难以避免，明年将是3D NAND杀戮战场。

至今年底为止，各家存储器厂的3D NAND生产线将陆续进入量产，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、东芝新建的Fab2、以及英特尔大连厂等。

业界认为，智能手机的搭载容量已上看256GB，固态硬盘主流容量也上看512GB，加上资料中心开始采用NAND Flash储存阵列，NAND Flash市场的确仍有很大的成长空间，只是3D NAND明年产能大量开出后，终端市场要大量去化如此庞大的新产能，并不是件太容易的事，所以明年NAND Flash价格下滑风险已然大增。