模拟
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关于火线、零线、地线
为了使交流电有很方便的动力转换功能，通常电力传输是以三相四线的方式，三相电的三根头称为相线，三相电的三根尾连接在一起称中性线也叫"零线"。叫零线的原因是三相平衡时刻中性线中没有电流通过了，再就是它直接或
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Diodes公司推出单通道负载开关AP22802
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出单通道负载开关AP22802，能够全面保护相连部件免受浪涌及短路的风险。这款高度集成的器件为一般USB和其它热插拔应用作出优化，并采用了SOT25小型封装，占位面积仅9mm2
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Diodes负载开关妥善保护USB接口
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出单通道负载开关AP22802，能够全面保护相连部件免受浪涌及短路的风险。这款高度集成的器件为一般USB和其它热插拔应用作出优化，并采用了SOT25小型封装，占位面积仅9mm2
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Vishay发布环保型EMI抑制薄膜电容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新系列X1电磁干扰(EMI)抑制薄膜电容器---F339X1，电压等级为330VAC和480VAC，可用于工业功率电子产品中标准的X1跨线路应用(50Hz/60Hz)。 今
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基于压力传感触控技术的室内定位地板
引言室内定位系统(Indoor Positioning System，IPS)是普适计算中的重要内容。随着智能终端的普及、移动互联网时代的来临，复杂室内环境下的定位与导航的需求日益增大，同时，IPS在公共安全、移动电子商务等领域都有
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TMS320C6701自动加载及程序烧写的简化设计
引言TMS320C6701(以下简称C6701)是TI公司的一款浮点运算DSP，适用于需要大量运算且实时性要求高的场合，如导航解算等。在TI公司浮点DSP芯片中，C6701是一款可应用于恶劣环境并具有高可靠性的产品，因此该型DSP芯片虽
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半导体制程进展：明年进入3D设计FinFET制程
近日消息，据digitimes报道，移动装置如智能手机、平板电脑等应用领域，对于半导体芯片的需求走到超低功耗，制程技术从28纳米制程，到20纳米制程，将于2015年进入第一代3D设计架构的FinFET制程，也就是14/16纳米世代
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功耗降十倍 ULV制程催生下世代物联网SoC
超低电压(ULV)制程将成物联网发展的关键技术。半导体厂除加紧投入先进纳米制程外，亦已积极开发超低电压制程;相较于现今电压约1伏特(V)的标准制程，超低电压制程可降至0.7或0.3～0.4伏特，让系统单芯片(SoC)动态功耗
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Vishay提高PTN系列精密薄膜片式电阻性能
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，提高其PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的性能，提供±10ppm/℃的更低绝对TCR和± 0.05 %的更严格公差。Vishay Dale Thin Film器
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Vishay提高PTN系列精密薄膜片式电阻性能
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，提高其PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的性能，提供±10ppm/℃的更低绝对TCR和± 0.05 %的更严格公差。Vishay Dale Thin Film器件使用自钝化、耐潮的
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TT Electronics发布先进的精密金属膜电阻器
21ic讯 TT Electronics今天发布了全新的精密非水溶性氮化物 (Water Insoluble Nitride, WIN)电阻器系列，新的WIN系列薄膜贴片电阻使用了先进的金属膜技术，为精密与信号处理应用提供了极高水平的可靠性和稳定性。WI
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Android组件之自定义ContentProvider
Android的数据存储有五种方式Shared Preferences、网络存储、文件存储、外储存储、SQLite，一般这些存储都只是在单独的一个应用程序之中达到一个数据的共享，有时候我们需要操作其他应用程序的一些数据，例如常见系
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Atmel用于个人局域网的无线解决方案
随着物联网不断深入人们的生活，无线连接性比以往任何时候都更加重要。随着无线产品从计算机外设和家庭娱乐应用领域扩展到智能网络及下一代应用领域，消费者需求也在迅速膨胀。为支持这些复杂的应用，Atmel 提供了
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Intel白皮书：UWB技术实现高速无线个人局域网
无线连接为用户新的移动生活方式注入了便捷。消费者马上就会对这种电子家庭的便捷产生巨大需求，他们的个人电脑、数码录像机、MP3播放器、数码可携式摄像机、数码相机，高清晰电视(HDTV)、机顶盒(STB)、游戏系统、掌
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4.5kV IGBT/二极管芯片组在高压直流输电领域的应用
制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。这种芯片组的特点是导通电压损耗非常低、具备大电流高电压快速开通行为和高鲁棒性的短路行为。在
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