当前位置:首页 > 消费电子 > 消费电子
[导读]现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?

摘要:现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?

我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下:

我们接触到的16G、32G等手机,为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道是手机厂商为了缩减成本故意减少存储容量,还是其他原因呢?

原因一:NAND Flash本身特性

从上图可以看出,eMMC存储器里面的主要存储单元是NAND Flash,她的结构及生产工艺,不能保证每个存储单元是好的,会随机产生无效块。这些无效块无法确定编程时的状态,就是大家常说的“坏块”。“坏块”会占据一部分NAND Flash的存储空间。NAND Flash的坏块存储结构如:

这样就会出现16GB的eMMC芯片,实际可使用的空间不够16G,如下图这款eMMC芯片,就只有15.7G的容量可以做文件存储使用。

原因二:手机厂商预装操作系统

各手机厂商的操作系统版本不一样,所以实际上大家能用的内置存储空间还会进一步的减少。安卓手机如果是16G的存储空间,其实都给data分区分了2.93G,除了data/system/cache等系统分区(这些分区大小由厂商而定),其余的就是用户可用的存储空间。安卓系统要占用一部分空间,苹果手机系统也是如此,比如,苹果的IOS9.2系统就有1.4G这么大:

以下是一些旗舰级的手机16G空间实际可用的空间的对比图。

基于以上两点原因,16G的手机容量无法达到标称值的答案已经很清晰了。由于NAND Flash存在坏块的现象,绝对的存储容量也就相应减少了;加上手机操作系统的大小,和预装的一些软件,标称16GB的手机,留给用户的使用空间就进一步减少了。

手机厂家应通过软件检测芯片坏快,挑出不良的芯片,在NAND Flash烧录过程中,及时检测坏块地址,杜绝烧录不良。ZLG致远电子SmartPRO 6000F-PLUS烧录器能高效检测芯片坏块,200MB/S的Flash烧录速度快速复制eMMC,提高eMMC烧录产能。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

8月17日消息,近日,超频爱好者“saltycroissant”成功将海盗船(CORSAIR)DDR5内存超频至12886MT/s,创造了新的世界纪录。

关键字: 内存 DDR5

在高性能服务架构设计中,缓存是不可或缺的环节。在实际项目中,我们通常会将一些热点数据存储在Redis或Memcached等缓存中间件中,只有在缓存访问未命中时才查询数据库。

关键字: 缓存 内存

7月25日消息,由于供应短缺,最近一段时间DDR4内存频繁出现涨价、缺货等现象。

关键字: DDR4 内存

7月10日消息,JEDEC今天正式发布了LPDDR6内存标准,规范编号JESD209-6,可显著提升移动设备、AI应用的性能、能效、安全。

关键字: LPDDR6 内存

7月6日消息,由于供应短缺,DDR4内存价格在过去几个月内大幅上涨,甚至超过了DDR5内存,这一现象促使一些厂商重新考虑延长DDR4内存的生产。

关键字: DDR4 内存

上海 2025年6月23日 /美通社/ -- 近期,黑芝麻智能分享了其如何通过零拷贝共享内存技术,解决车载多域间大数据传输的延迟与资源消耗问题。核心技术包括全局内存管理单元和dmabuf机制优化,显著降低CPU负载与D...

关键字: 内存 数据传输 大数据 BUF

6月16日消息,“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大”,一位从业者表示。

关键字: DDR4 内存

基于美光 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 存储解决方案,合力打造 Motorola 功能强大的翻盖手机

关键字: LPDDR5X 内存 AI

AIPC作为新兴且高速增长的应用领域,对内存性能的推动作用十分显著。一方面,它直接驱动了内存技术规格的更新换代和高带宽、低延迟的内存架构的发展;另一方面,也间接推动了内存模块的电源管理技术、信号完整性控制和可靠性设计的全...

关键字: AIPC 内存 LPCAMM Rambus PMIC PMIC5200 PMIC5120

5月8日消息,NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C,有望彻底改变DRAM内存的现状。

关键字: X-DRAM 内存 存储
关闭