STM32F1_片内FLASH编程

前言

今天总结“STM32F103 片内FLASH编程”，对于学习编程的人来说“FLASH”这个词肯定很熟悉，因为FLASH主要用于存储数据。对于STM32来说，内部FLASH的容量有大有小，从16K到2M不等，主要看芯片的型号。

对于刚从51或者430转入学习ARM-Cortex M芯片的人来说，可能只知道内部FLASH是拿来装载程序的，事实上Cortex M芯片内部FLASH的可以拿来编程的，而且还可以像外部FLASH一样存储数据。对，今天提供的工程就是使用内部FLASH像外部FLASH一样读写数据，而且不是块或者页编程（即不覆盖临近地址数据）。

在实际的开发中，内部FLASH存储数据也是很重要的一点，特别是一些不常修改，而且很重要的标志位，或者一些配置等，存储在内部FLASH是很常见的。但是，这个地址一定要避开程序储存的地址（我计划后期整理编程地址规范及要求）。

下载

今天提供下载的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘。

今天的软件工程下载地址（360云盘）：

https://yunpan.cn/cRs8kq9Q5hQCS访问密码

STM32F10x的资料可以在我360云盘下载：

https://yunpan.cn/crBUdUGdYKam2访问密码 ca90

内容讲解

工程概要说明： 提供工程的源代码主要就是两个接口，一个写，一个读。

void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);

相信经常编程的人都明白函数接口的意思（我的命名规则还是算比较人性化的），就是和常见的访问外部FLASH一样，不会覆盖数据，我已经在实际工作中应用而且商业化了。

主要在地址“ADDR”处写一个标志位，在地址“ADDR + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”，则不会再次写入数据，只会读取数据，意思就是说数据只写一次，以后每次只是读取数据（就是保证掉电后数据会不会丢失）。每次读取数据，通过串口打印出以前写入的数据是否正确。

提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。

关于“STM32F103 片内FLASH编程”我把重要的几点在下面分别讲述：

一、写函数接口

该函数位于flash.c文件下面；

注意：

A.参数pBuffer是数据缓冲区，是16位的，而不是8位的。（其实这里可以整理为8位的，由于时间有限，如果有需要，请微信里回复我，我抽时间整理一下）。

B.参数长度也是16位的数量。

C.地址是内部FLASH地址，可别溢出了，也别和程序冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。

二、读函数接口

该函数位于flash.c文件下面；

注意的地方和上面写函数接口一样，主要是参数。

三、读写应用

该函数位于main.c文件下面；

蓝色表示读写标志位

红色表示读写数据

看一下就知道程序的流程是：“数据标志位”和“数据”都只写一次，而每次上电读一次标志位，再读数据。

这里的“数据标志位”地址就在“数据”前面。

四、今天的重点

重点A.页的大小：STM32F1小、中容量是1K，而大容量是2K,对于编程这里是有差异的。

重点B.STM32系列芯片中有很大一部分页的大小都是规则的，也就是说都是1K或许2K大小，学过其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是规则的，如STM32F4中基本都不是规则的（如下图F4芯片），有的一块16K、128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用，今天提供工程适用于内部FLASH规则大小的芯片。

说明

今天提供的软件工程基于STM32F103大容量芯片，中等及小容量芯片也使用，只要修改flash.h文件一个宏（页大小就可以）。其实只要适当修改工程的部分配置,STM32F1的芯片都适用。