18b20的51子程序

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// 复位 DS1820
//CPU将数据线拉低480us，然后释放，
//当DS18B20收到信号后等待16～60us左右，后发出60～240us的存在低脉冲，
//主CPU收到此信号表示复位成功。
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bit ResetDS18B20(void)
{
unsigned char i;
bit flag;
DS18B20=1;
i=1;while(--i);
DS18B20=0; // 保持低电平至少 480 uSec
i=255;while(--i); // 一个循环 2us
DS18B20=1;
i=30;while(--i); // 60us延时，等DS18B20 完成采样
flag=DS18B20;// 检查DS1820 是否存在
i=180;while(--i); // 等 300 uSec
return flag; // flag=0复位成功,flag=1，复位不成功
}
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// 写1个字节到DS18B20
// CPU将数据线从高电平拉至低电平，产生写起始信号；
//15us之内，将所写的位送到数据线上；
//DS18B20在15us~60us之间接收位信息；
//写下一个位之前要有1us以上的高电平恢复；
//将以上过程重复8次，即完成一个字节的写操作。
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void WRDS18B20(unsigned char data0)
{
unsigned char i,j;
for (j=0; j<8; j++)
{
DS18B20=0; // 数据线拉成低电平
i=1;while(--i);
DS18B20=data0&0x01; // 送出最低位
data0=data0>>1; //右移1位
i=30;while(--i);
DS18B20=1; //数据线恢复高电平
i=1;while(--i);
}
}

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// 从DS1820读取1个字节
//CPU将数据线从高电平拉到低电平1us以上，再拉到高电平，产生读起始信号；
//15us之内，CPU读一位；
//读周期为60us，
//读下一个位之前要有1us以上的高电平恢复；
//将以上过程重复8次，即完成一个字节的读操作。
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unsigned char RDDS18B20()
{
unsigned char i,j,data0=0;
bit temp;
for (j=0; j<8; j++)
{
DS18B20=0; // 数据线拉成低电平
i=1;while(--i);
DS18B20=1; //数据线拉到高电平
i=1;while(--i);
temp=DS18B20; // 读取1位
data0=data0>>1; //右移1位
if(temp==1) data0=data0|0x80;
else data0=data0&0x7f; //保存读取位到data0
i=30;while(--i);
DS18B20=1; //数据线恢复高电平
i=1;while(--i);
}
return data0;
}

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// 读取温度
// 返回温度值*10后的结果
// （例 24.5 度 => 245 度）
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unsigned int GetTempDS18B20()
{
unsigned int i,j;
unsigned int k;
bit flag;
flag=ResetDS18B20(); //复位
if(flag) return 0x0000;
WRDS18B20(0xcc); // 跳过ROM
WRDS18B20(0x44); // 启动温度转换
delaynms(750); // 延时750ms
flag=ResetDS18B20(); //复位
if(flag) return 0x0000;
WRDS18B20(0xcc); //跳过ROM
WRDS18B20(0xbe); // 发读温度命令
j=RDDS18B20(); //读温度低字节
j=j+(RDDS18B20()<<8); //读温度高字节，然后加上温度低字节
i=((j>>4)*10)+((((j&0x0008)>>3)*500)+(((j&0x0004)>>2)*250)+(((j&0x0002)>>1)*125)+((j&0x0001)*62))/100;
//温度值*10
return i;
}