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[导读]金属氧化物半导体因具备迁移率良好、稳定性高、均匀性高、制造成本低等优点,被认为是可能取代硅基薄膜晶体管的新一代沟道层半导体材料。在平板显示领域,特别是在超高清,柔性显示以及印刷显示等新型显示技术方面具有巨大的应用潜力。

金属氧化物半导体因具备迁移率良好、稳定性高、均匀性高、制造成本低等优点,被认为是可能取代硅基薄膜晶体管的新一代沟道层半导体材料。在平板显示领域,特别是在超高清,柔性显示以及印刷显示等新型显示技术方面具有巨大的应用潜力。

集微网消息,由先导薄膜材料(广东)有限公司研发生产的G4.5代线镧系稀土掺杂金属氧化物(Ln-IZO)靶材成功交付给华星光电,据先导集团官方消息,这是国内首套G4.5代高迁移率氧化物靶材。

该靶材基于华南理工大学发明的薄膜晶体管用高迁移率稀土掺杂氧化物半导体材料,是新一代的TFT半导体沟道层材料,其先进的性能可满足未来超高清显示、柔性显示对沟道层材料的应用需求。

2019年,先导薄膜材料(广东)有限公司与华南理工大学、广州新视界光电科技有限公司、深圳市华星光电半导体显示技术有限公司、广东省半导体产业技术研究院联手组建了从基础研究到产品应用端的产学研用技术团队。

该团队以华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室曹镛院士团队所开发的新型稀土掺杂金属氧化物靶材(Ln-IZO)技术为基础,以先导薄膜的靶材开发与量产制备技术为核心,结合材料基础研究、TFT器件工艺技术,开展了“薄膜晶体管用高迁移率氧化物半导体溅射靶材研究及应用”项目。经过反复研发测试,开发出此G4.5的Ln-IZO靶材,交付华星光电上线使用,此为该项目的第一个重要成果。

Ln-IZO靶材摒弃传统基于IGZO的多元掺杂体系,采用In2O3或SnO2等高迁移率氧化物半导体作为基体材料,可有效替代非晶硅及多晶硅及IGZO材料,在保证稳定性的同时,确保高迁移率的优势,可实现器件的高分辨率、高响应速度、低能耗、低噪音,有效突破TFT器件关键材料技术,改善知识产权被动局面。

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