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[导读]   摘 要: 设计了一种基于源级耦合结构的正交二分频电路,由两个完全相同的源级耦合D触发器级联构成,交替工作于触发和锁存模式。对传统的源级耦合结构做了适当改进,采用动态负载,通过对PMOS管的开

  摘 要: 设计了一种基于源级耦合结构的正交二分频电路,由两个完全相同的源级耦合D触发器级联构成,交替工作于触发和存模式。对传统的源级耦合结构做了适当改进,采用动态负载,通过对PMOS管的开关控制很好地解决了电路工作速度和输出摆幅间的矛盾;且时钟开关PMOS和NMOS采用不同直流偏置,便于低电源电压下直流工作点的选取。采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺进行仿真验证。实验结果表明,分频器在1.92 GHz输入时钟频率下能正常实现正交二分频,有较宽的锁定范围,且在3 V电源电压下功耗仅为1.15 mW。

  随着便携式手持无线设备的不断发展,低功耗全集成收发机在无线通信领域受到越来越多的关注。在现代通信系统中,多模分频器是工作在最高频率的模块之一,其设计具有很大的挑战性。多模分频器最重要的两个指标是工作速度和功耗。而无论是采用脉冲吞咽方式实现的多模分频器[1],还是串联多个双模预分频器来实现的多模分频器[2],高速分频器都是其最关键的模块之一。此外,在许多预分频器设计中,为了降低整体功耗,通常选用相位切换结构,比同步双模预分频器具有更高的工作速度和更低的功耗[3-4]。在这种结构中,一般采用两个动态触发器级联来完成二分频正交信号输出,并将此作为相位切换的输入。但由于该分频器工作在VCO的输出频率,功耗较大,如采用上述动态触发器实现,则要求有一个全摆幅的时钟信号,因此需要在VCO输出端加一个耗能的缓冲器以增加VCO的输出摆幅[5],这将会加剧高速分频器的功耗问题。

  然而与传统的全功能D触发器构成的分频器相比,源耦合逻辑(SCL)分频器因其输入/输出摆幅小、动态功耗低、转换速度快,成为高速分频器的首选[6]。本文在传统的SCL分频器基础上加以改进,使用动态负载代替原来的电阻负载或有源固定负载,在电路工作速度和差分输出摆幅之间得到了很好的折衷;并且时钟开关管PMOS和NMOS采用不同的直流偏置,解决了低电压下直流工作点较难设置的问题。

  1 源级耦合(SCL)分频器

  1.1 基本结构及工作原理

  SCL型分频器通常被认为是工作速度最快的分频器结构,它可由两个完全相同的D触发器或者锁存器级联而成,具体电路如图1所示,其单元电路如图2所示。

  

  SCL型D触发器的单元电路包含两个部分[7]:将输入信号输送到输出的触发部分(MS)和存储输出逻辑电平的锁存部分(ML)。其中触发部分由差分对来实现;锁存部分由一个交叉耦合对(ML)来实现,该结构表现出负阻-2/gm,并通过正反馈大大提高电路工作速度。两个部分由一个相位互补的时钟信号驱动,分别用来控制触发电路和锁存电路。其具体电路工作过程如下:在输入时钟的正半周,图1中第一级D触发器处于触发模式,即输出跟随输入变化;第二级D触发器处于锁存模式,保持与前一个时钟相同的状态,其输出经过反相后送入第一级D触发器。在输入时钟的负半周,第一级D触发器处于锁存模式;第二级D触发器转变为触发模式,它输出的状态将被锁存到第一级D触发器中。因此,D触发器的输出随着时钟状态的改变而改变,且在每两个时钟周期输出信号完成一个周期的变化,从而输出的频率刚好是输入频率的一半,实现二分频功能。

  图2电路中的尾电流源是为了保证电路比较稳定的直流偏置,减小了因输入时钟信号的直流电平变化对电路的影响。为了提高工作速度,可以忽略尾电流源,这样大约能提高20%的工作速度[8],但是同时电路对工艺和温度的依赖性增加。此外,考虑到电阻阻值的不准确,以及版图面积大等不利因素,所以在很多设计中用有源负载代替电阻负载,但这样增大了寄生电容,进而限制了最高工作频率。

  1.2 SCL电路动态特性

  SCL型二分频器的动态特性如图3所示,其中fo是没有外加激励时电路的自激振荡频率,Vclk_min是电路停止自振荡所需外加的最小时钟信号的幅度。根据电路工作频率和外加的时钟激励幅度的变化,电路工作于4种不同的状态[9]:

  

  (1)自振荡区:如图1所示,两级D触发器级联并形成闭环环路,当环路满足巴克豪森振荡条件时,环路就会发生自激振荡;但是当输入时钟的幅度比较大时,电路会由自振荡转入受迫振荡状态,振荡频率也会向正常工作频率靠拢,实现二分频。

  (2)正常工作区:能完成二分频功能。

  (3)压摆率限制区:当输入时钟有比较大的上升和下降时间时,会在时钟过零点时有足够的时间使电路发生自振荡,从而影响输出频谱的纯度。

  (4)响应限制区:当输入时钟频率很高时,由于寄生电容的影响,D触发器充放电不完全,它将无法振荡到该频率,导致电路工作失常。

  由图3可以看出,输入时钟信号Vclk幅值越小,则电路正常工作的频率范围越小。因此,要达到大的工作频率,Vclk幅值必须较大。一般VCO输出摆幅都比较大,对于跟在VCO后面的第一级二分频器,其输入时钟的幅度往往不成问题。

  2 改进的分频器电路设计及仿真

  2.1 SCL二分频电路设计

  本文主要对SCL电路的负载进行了改进,采用Wang的动态负载结构[10](即让触发器的负载随着输入信号的变化而变化),使电路的速度得以进一步提高;并且对开关管和负载管采用不同的直流偏置,便于直流工作点的选取,尤其是在低电源电压的情况下。本文设计的SCL单元电路如图4所示。

  

  从图4可以看出, PMOS管起动态电阻的作用。当该D触发器处于触发状态时,PMOS等效为一个很小的负载电阻,这就可以在输出节点产生比较小的RC时间常数,提高触发器的工作频率;当触发器处于锁存状态时,PMOS管等效为一个很大的负载电阻,增大输出摆幅。这种动态负载的结构比普通电阻负载结构的工作频率更高,但要同时给NMOS和PMOS管提供合理的偏置会带来比较大的设计难度。因此,在本文提出的结构中,NMOS和PMOS采用不同的直流偏置,通过合理设计电阻、电容的值,以及外加偏置电压VBP,就可以控制PMOS管的时钟信号偏置在需要的直流点;同样也可以选取NMOS的直流偏置VBN,这样有利于降低设计的复杂性,特别在低电源电压下,一个折衷的直流偏置点很难选取。图4中还有一个尾电流管M1用来保证电路比较稳定的直流偏置。由于本文设计的高速二分频电路应用于短距离无线接收发机中,与其直接相连的VCO输出最高频率为1.92 GHz,并不需要特别高的工作频率,因此不需要通过去除尾电流源来使电路工作在更高的频率段。另外,去除尾电流源会使电路输出摆幅不确定,受工艺和温度的影响较大;并且会导致SCL分频器的衬底波动比较大,该波动通过衬底耦合,会加大分频器的噪声,或影响到其他电路模块, 所以本文保留了尾电流源的使用。

  2.2 电路仿真结果

  电路采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计实现,并对整体电路进行了仿真、验证。图5给出了当输入时钟信号频率为1.92 GHz、幅度为800 mV时的SCL分频器瞬态仿真结果。从仿真结果可以看到,分频器输出波形周期为1.04 ns,很好地实现了二分频功能;且输出摆幅较大,在800 mV左右。图6给出了二分频器的4个不同相位的瞬态输出,其每个象限相差90°,以便用于后面的基于相位选择技术的双模预分频电路。

  

  由之前分析可知,SCL二分频器的正常工作频率有一定的范围,且与输入时钟信号的幅度有关,因此分频器有一个最大频率锁定范围。图7给出了当输入时钟幅度从200 mV~1 V变化时,其频率锁定范围的变化情况。从图中可以看出,随着输入时钟幅度变大,分频器的锁定范围也变大,当幅度为800 mV时,频率锁定范围为200 MHz~2.8 GHz,有较宽的频率锁定范围,满足VCO输出频率范围的完全覆盖(所应用的VCO调频范围为1.608 GHz~1.92 GHz);本设计的分频器电路在3 V电源电压下、工作频率在1.92 GHz时的功耗为1.15 mW。

  

  本文设计了一种基于源极耦合逻辑技术的高速正交二分频器电路。电路沿用了传统的SCL二分频器结构并对其适当改进,采用动态负载代替电阻负载,使负载阻值随着输入信号变化而变化,有利于工作频率的提高和输出摆幅的增大。电路PMOS和NMOS管采用不同的直流偏置,大大减小了直流工作点选取的复杂度。采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺进行了设计验证,在1.92 GHz输入时钟频率下能正常实现正交二分频,有较宽的锁定范围,且在3 V电源电压下的电路功耗仅为1.15 mW。

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