IGBT，半导体皇冠上的明珠

IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOSFET (绝缘栅型场效应管)组成的全控电压驱动的功率半导体。

一、IGBT的壁垒

功率分立器件的演进路径基本为二极管-晶闸管-MOSFET-IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。

IGBT既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的。因而是电力电子领域较为理想的开关器件，被誉为“电力电子器件里的CPU”，也被称为半导体皇冠上的明珠!

IGBT 领域技术更迭较慢，部分产品可以用到 5-10 年之久，同时IGBT的进入壁垒是功率半导体里最高，从芯片设计到模组都需要很长时间技术积累以及在实际应用中不断调试，注重资深工程师的经验积累，高壁垒重积累的特性利于业内玩家持续强化护城河。

二、IGBT的应用领域

全球的IGBT应用来看，工控占比37%，为最大的应用领域，电动汽车28%，新能源发电9%，消费领域8%。

而在国内，由于我国高铁发达，下游应用领域工业控制29%，轨道交通28%，新能源汽车12%，新能源发电8%，不过随着我国新能源领域的不断发展，新能车和光伏风电这两块需求占比未来将持续上升。

2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元，同比2016年增长16.5%，2018年全球IGBT 市场规模在58.36亿美元左右，同比增长11%，在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。

国内的IGBT需求增长远超全球增长。根据智研咨询的数据，2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元，同比增长22.19%，增速显著高于全球平均水平。

受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展，预计未来国内IGBT的复合增速继续保持 20%以上。

这符合我们选择高成长行业的基本指标，行业年增速超过20%，属于行业的初级且处于高速成长期，容易产生10倍以上的牛股。

三、IGBT的市场格局：国产替代空间巨大

IGBT 市场竞争格局较为集中，主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT厂商的份额超过70%。国内IGBT 龙头斯达半导 2018 年在模块领域市占率仅2.2%。

由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域，我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域。

因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国，未来几年我国的IGBT市场需求占比将从 2019 年不足35%提升到 2025 年的50%或以上，为我国的 IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件，国产IGBT厂商市场份额和业务量的提升潜力非常大。

庞大的本土下游需求加国产替代的浪潮，国内已经实现从0到1突破的优秀IGBT公司，将迎来未来5-10 年从1到N 的黄金发展机遇期。