官宣!中芯国际首个“N+1”工艺芯片成功流片!

10月11日，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技(INNOSILICON)官宣：已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

据官网信息，芯动科技是中国芯片IP和芯片定制的一站式领军企业，提供全球主流代工厂(台积电/三星/格芯/中芯国际/联华电子/英特尔/上海华力/武汉新芯等)，从180nm到5nm工艺全套高速混合电路IP核和ASIC定制解决方案，尤其22nm以下FinFET工艺全覆盖，是迄今为止国内唯一具备两家代工厂(台积电、三星)5nm工艺库和设计流片能力的技术提供商。

芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，多次在先进工艺上填补国内空白，核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。如今，芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。

21ic家此前也曾报道，中芯国际针对其N+1代工艺进展曾公开回应，中芯国际表示2020年底小批量试产N+1工艺。那可以预见N+1量产的时间也将不会太远了。