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[导读]导读: 离线语音芯片把两级唤醒做到 34.7 微瓦,规格书上这个数字比上一代低了一个数量级,AI 玩具的待机却仍按月算。因为常开的那一级不是芯片,是麦克风:模拟麦克风加偏置要吃 250 微安,是唤醒芯片的 24 倍。把芯片功耗降到零,2000 mAh 的电池也只多撑 9 天。

离线语音芯片把两级唤醒做到 34.7 微瓦,规格书上这个数字比上一代低了一个数量级,AI 玩具的待机却仍按月算。因为常开的那一级不是芯片,是麦克风:模拟麦克风加偏置要吃 250 微安,是唤醒芯片的 24 倍。把芯片功耗降到零,2000 mAh 的电池也只多撑 9 天。

一句话答案 常开语音的待机由麦克风偏置、电池自放电和芯片三份电流决定,芯片只占 3%,先做麦克风门控才有意义。

常开的那一级不在算力上

两级唤醒是指用一个极低功耗的声音检测级常开,检出语音后再唤醒关键词识别级,两级串联把平均功耗压下来。声音检测级只看有没有能量,不看说了什么,功耗在微瓦级;关键词识别级要跑卷积网络,功耗在几百微瓦到毫瓦级,只在有声音时开机。

这个结构把算力问题变成了占空比问题。识别级跑 3 ms、吃 300 微安,一秒触发一次的平均电流是 0.9 微安,触发十次是 9 微安。整机待机电流的大头因此不在识别,而在那个必须一直开着的拾音前端。

一级的声音检测不能省,因为它决定了设备能不能在你说第一句话时就醒。省掉它,识别级就得常开,功耗从微瓦直接跳到毫瓦。

图 1 两级唤醒链路的电流分配(依据原文第 2 节架构绘制)

34.7 微瓦摊到整机是 10.5 微安

2023 年发表在 Electronics 上的一颗芯片给出了这条路的当下水平。0.11 微米工艺,面积 0.58 平方毫米,时钟压到 24 kHz,两级结构合计 34.7 微瓦,10 dB 信噪比下 F1 分数 0.89。特征提取用快速离散余弦变换替代对数谱与倒谱,省掉两级运算。

34.7 微瓦 在 3.3 V 下是 10.5 微安。这个数字放进整机里是什么比例,要看旁边站着谁。一颗模拟 MEMS 麦克风加偏置电阻要 250 微安,LDO 静态 1.5 微安,主控深睡加漏电 2 微安。芯片占 14 微安 里的 75%,占整机 264 微安 里的 4%。

还有一项容易漏算。声音检测级每 20 ms 醒一次,LDO 从 1.5 微安 的静态切到 300 微安 的负载,恢复时间 40 微秒,每次多耗 0.012 微库仑,一秒五十次是 0.6 微安,占芯片电流的 6%。

再加上电池自放电。2000 mAh 的锂电按每月 2% 自放电折算,相当于 55 微安 的常驻电流。整机等效 319 微安,待机 6270 小时,261 天。

自放电不是常数。25 摄氏度下每月 2%,45 摄氏度下翻倍到 4%,折算的等效电流从 55 微安 涨到 110 微安。玩具放在暖气边或夏天车内,待机时间掉三成,这一段任何芯片优化都补不回来。

芯片减半只买回五天

把芯片功耗砍一半,从 34.7 微瓦 到 17 微瓦,等效电流从 319 微安 降到 314 微安,待机从 261 天变成 266 天。砍到零,270 天。省下的 5 天和 9 天,落在两个月的误差里,用户感知不到。

供电与拾音方案
麦克风电流(微安)
芯片与电源(微安)
合计含自放电(微安)
待机天数
判定(≥365 天)
常开模拟麦,34.7 微瓦 芯片
250
14
319
261
不达标
常开数字 PDM 麦,同款芯片
350
14
419
199
不达标
双麦阵列,同款芯片
500
14
569
146
不达标
模拟麦 10% 门控,同款芯片
25
14
94
886
达标
模拟麦 5% 门控,同款芯片
12.5
14
81.5
1023
达标

表注:3.7 V、2000 mAh、自放电按每月 2% 折 55 微安 计入,芯片 34.7 微瓦 折 10.5 微安,LDO 与主控合计 3.5 微安。

表里最扎眼的一行是数字麦克风。PDM 接口省掉了外部偏置和模拟走线,抗干扰更好,代价是 350 微安,比模拟方案多 100 微安,待机从 261 天掉到 199 天。这个代价在插电设备上不算什么,在纽扣电池上就是生死线。数字麦克风还会把时钟串进音频带内,1.2 MHz 的 PDM 时钟在 3.3 V 电源上产生 20 mV 的纹波,要靠一颗 10 微F 的电容压住。

图 2 五种拾音方案的待机天数(依据原文第 2 节功耗数据测算)

250 微安是偏置电阻定的

按公开参数测算一遍。模拟 MEMS 麦克风的等效供电电流由三部分构成:麦克风本体 180 微安,内部缓冲器 40 微安,外部偏置与上拉 30 微安。本体电流由厂商的灵敏度与信噪比折中决定,缓冲器电流由输出摆幅决定,外部那 30 微安 可以优化掉一半。

把偏置改成门控,占空比 10%,麦克风的平均电流从 250 微安 降到 25 微安。这一刀省下 225 微安,是芯片省下的 5 微安 的四十五倍。

门控电路不复杂。一只 P 沟道 MOSFET 串在偏置电阻上,栅极由声音检测级的中断控制,导通 20 ms、关断 180 ms。MOSFET 的导通电阻 50 毫欧,对 250 微安 的压降是 0.0125 毫伏,可以忽略。

门控的代价在捕获时间上。麦克风从断电到稳定输出要 12 ms,语音起始的辅音能量集中在头 60 ms,门控窗口错过了这 60 ms,唤醒率会掉。用 200 ms 的预录环形缓冲把这段补回来,缓冲本身要 3.2 kB 的 RAM 和 1.2 元的物料。

失效场景出在声音检测的阈值上。阈值调低省电,误触发变多;调高省误触发,漏唤醒变多。按识别级单次 3 ms、300 微安 算,声音检测每秒误触发十次就是 9 微安,等于把芯片功耗翻了一倍。阈值要按误触发不超过每秒两次整定,这个数对应 55 dBA 背景噪声下的 0.4 倍均方根能量判据。

这个判据在不同房间里要重标。厨房的抽油烟机把 100 Hz 到 1 kHz 的能量抬高 12 dB,同样的阈值会一直触发,识别级被反复唤醒,平均电流从 10.5 微安 涨到 40 微安。

选型判据:如果待机目标超过 6 个月且电池小于 2000 mAh,就先做麦克风门控,代价是 12 ms 的捕获延迟和 1.2 元的缓冲成本;如果设备插电或每周充电,就保持常开,把 250 微安 换成更好的抗噪和更低的漏唤醒。

一个判断:推理不是瓶颈,拾音前端才是

通行说法把端侧语音的功耗瓶颈放在推理上,讨论 NPU 的能效比、模型的参数量、算子的量化位宽。在常开架构里这套说法只解释了 3% 的功耗。34.7 微瓦 的芯片已经把推理压到接近极限,剩下的 78% 在麦克风偏置和电池自放电上。

这条判断的失效点很清楚。一旦把麦克风门控做到 10% 以下,瓶颈立刻转移:此时电路电流 39 微安,自放电 55 微安 已经超过电路本身,再优化任何器件都是在优化一个次要项。再往下走,决定待机的是电池的搁置寿命和门控带来的漏唤醒率。

把这三项按贡献排序,芯片排第三。34.7 微瓦 已经是这类电路的下限,再往下压要动工艺,从 0.11 微米走到 40 纳米,流片成本摊到十万颗上是每颗 3 元,换回来 5 天待机。

所以端侧语音的优化顺序应该是:先把拾音前端的占空比做下来,再看电源静态电流,再往下才轮到推理芯片。倒过来做,投入产出比会差一个数量级。

按 AI 玩具走一遍选型

按以下约束走一遍选型:3.7 V、2000 mAh 锂电,待机目标 12 个月,1 米距离唤醒率不低于 95%,55 dBA 噪声环境,BOM 成本上限 12 元,外壳厚度 18 毫米。

候选三个。A 档是常开模拟麦加 34.7 微瓦 芯片,物料 8.6 元,待机 261 天。B 档是常开数字 PDM 麦加同款芯片,物料 9.2 元,待机 199 天。C 档是模拟麦 10% 门控加同款芯片加 200 ms 缓冲,物料 9.8 元,待机 886 天。

逐项对比。待机上 C 是 A 的 3.4 倍,A 与 B 都不达 12 个月。唤醒率上 A 最高,因为没有捕获延迟;C 掉 3 个百分点,卡在 95% 的线上;B 因为数字麦的信噪比高 2 dB,反而比 A 好一点。成本上 A 最低,C 多 1.2 元,仍在 12 元内。物料体积上 B 最省,数字麦不需要偏置电路。

选定 C 档。理由是 12 个月的待机是硬指标,A 和 B 差 100 天以上;886 天留出了电池老化的余量,18 个月内不用换电池;1.2 元的增量买回来 625 天,用户感知得到。

物料账还能再拆。1.2 元的增量里,MOSFET 与滤波占 0.3 元,200 ms 缓冲占用的 RAM 折算 0.4 元,重新认证与产线调试摊 0.5 元。后两项是一次性投入,量产一万台之后单价降到 0.7 元。

代价与风险有三条。3% 的唤醒率损失需要靠预录缓冲的时长补,缓冲从 200 ms 加到 300 ms 能补回 1.5 个百分点,但要再吃 1.6 kB 的 RAM;门控电路的开关噪声会耦合进麦克风偏置,实测在 1 kHz 附近有 4 dB 的抬底,需要用 π 型滤波压下去;886 天超过电池的搁置寿命,量产时要按 18 个月做容量保持率抽检。

一句话:待机时间是三份电流里最小的那一份决定的,不是最贵的那个器件决定的。

文献依据:开放获取期刊论文(CC BY 4.0)

文献标题:A 34.7 微瓦 Speech Keyword Spotting IC Based on Subband Energy Feature Extraction

作者:Gexuan Wu, Jianlong Wei, Shuai Wang, Guangshun Wei

期刊卷期:Electronics, 2023, 12(15), 3287

DOI 或链接: https://doi.org/10.3390/electronics12153287

配图说明:自行绘制,图 1 为原理示意,图 2 为据公开参数测算的数据图,非原文原图复制

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来源:21ic电子网

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