值得了解的新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级-SiZ240DT

人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如集成式MOSFET。

节省空间的器件采用小型PowerPAIR®3x3S封装，最大RDS(ON)导通电阻降至8.05m，Qg为6.5nC

MOSFET的原意是：MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)，FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

日前，VishayIntertechnology，Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。VishaySiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR®3.3mmx3.3mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)达到业界出色水平。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。

SiZ240DT中的两个TrenchFET®MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10V时最大导通电阻为8.05mΩ，4.5V时为12.25mΩ。通道2MOSFET，通常用作同步开关，10V时导通电阻为8.41mΩ，4.5V时为13.30mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16%。结合6.9nC(通道1)和6.5nC(通道2)低栅极电荷，导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14%，有助于提高快速开关应用的效率。

结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。

集成式MOSFET采用无导线内部结构，最大限度降低寄生电感实现高频开关，从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd/Qgs比降低噪声，进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100%Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

本文只能带领大家对集成式MOSFET有了初步的了解，对大家入门会有一定的帮助，同时需要不断总结，这样才能提高专业技能，也欢迎大家来讨论文章的一些知识点。