一款62mm器件半桥拓扑设计的CoolSiC™模块

在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的CoolSiC™ MOSFET模吗?

英飞凌科技股份公司(FSE： IFX / OTCQX： IFNNY)为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上，将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

SiC材料虽然在击穿场强、热导率、饱和电子速率等方面相比于Si材料有着绝对的优势，但是它在形成MOS(金属-氧化物-半导体)结构的时候，SiC-SiO2界面电荷密度要远大于Si-SiO2，这样造成的后果就是SiC表面电子迁移率要远低于体迁移率，从而使沟道电阻远大于体电阻，成为器件通态比电阻大小的主要成分。

该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。在高开关频率下运行时，可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC芯片技术，客户可以设计尺寸更小的逆变器，从而降低整体系统成本。

目前常见的SiC MOSFET 都是平面栅结构，Si-面上形成导电沟道，缺陷较多，电子迁移率低。英飞凌CoolSiCTM MOSFET 采用Trench 沟槽栅结构，导电沟道从水平的晶面转移到了竖直的晶面，大大提高了表面电子迁移率，使器件的驱动更加容易，寿命更长。

它采用62mm标准基板和螺纹接口，具有高鲁棒性的结构设计，从而最大限度地优化并提高系统可用性，同时降低维修成本并减少停机损失。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度(Tvjop)，带来出色的系统可靠性。其对称的内部设计，使得上下开关有了相同的开关条件。可以选装“预处理热界面材料”(TIM)配置，进一步提高模块的热性能。

以上就是CoolSiC™ MOSFET模的一些值得大家学习的详细资料解析，希望在大家刚接触的过程中，能够给大家一定的帮助，如果有问题，也可以和小编一起探讨。