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[导读]中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

随着中国“十四五”规划浮出水面,第三代半导体项目投资升温加剧。据不完全统计,2020年有8家企业计划投资总计超过430亿元,碳化硅、氮化镓材料半导体建设项目出现“井喷”。三安集成表示,“良性竞争有助于产业链上下游协同发展,我们会加快新产品的推出速度和产能建设,以便保持先发优势。”据悉,三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后,已完成了从650V到1700V的产品线布局,并累计出货达百余万颗,器件的高可靠性获得客户一致好评。

本次推出的1200V80mΩ碳化硅MOSFET,与传统的硅基IGBT功率器件相比,宽禁带碳化硅材料拥有“更高、更快、更强”的特性——更高的耐压和耐热、更快的开关频率,更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色,尤其是高压应用中,在相同的功率下,碳化硅MOSFET自身器件损耗小,极大减小了器件的散热需求,使系统朝着小型化,轻量化,集成化的方向发展。这对“寸土寸金”的电源系统来说至关重要,比如新能源车载充电器OBC、服务器电源等。

从碳化硅肖特基二极管到MOSFET,三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下,提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET采用平面型设计,具备优异的体二极管能力,高温直流特性,以及优良的阈值电压稳定性。

更强的体二极管能力

由于器件结构的原因,碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管,器件的开启电压高,损耗大。在实际使用中,往往会通过并联肖特基二极管作续流,减小系统损耗。三安集成的碳化硅MOSFET通过优化器件结构和布局,大大增强碳化硅体二极管的通流能力,不需要额外并联二极管,降低系统成本,减小系统体积。

优良的阈值电压稳定性

如何能够得到优质的碳化硅栅氧结构是目前业界普遍的难题。栅氧质量不仅会影响MOSFET的沟道通流能力,造成阈值漂移现象,严重时会导致可靠性的失效。三安集成通过反复试验和优化栅氧条件,阈值电压的稳定性得到明显提高,1000hr的阈值漂移在0.2V以内。

21IC家注意到,相比传统的硅器件,碳化硅固有的性能优势使得在高性能、高效率的应用领域出现巨大市场需求,目前行业内碳化硅MOSFET缺货声音不断,三安集成此次完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造,势必加速碳化硅器件产能扩张,助推碳化硅在更多领域的应用扩展。

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在这篇文章中,小编将对碳化硅材料的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度,和小编一起来阅读以下内容吧。

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