UnitedSiC发布新的FET-Jet计算器TM

2021年3月16日，新泽西州普林斯顿：领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC推出了FET-Jet计算器，这是一款免费注册的简单在线工具，能方便您为不同功率应用和拓扑结构选择器件和比较器件在其中的性能。这款新工具让工程师能够迅速、自信地制定设计决策。

为了找到最适合其功率设计的UnitedSiC器件，用户先选择应用功能和拓扑结构，然后输入设计参数详情，之后，该工具会自动计算开关电流、效率和损耗，并将损耗分为导电、打开和关闭损耗。运行温度和散热器额定值均作为输入值包含在内，以表明预期的运行结温。

通过运用各种储能电感和开关频率值，用户可以探索不断改变的导电模式在各种拓扑结构中的效果。用户还可以选择单个或并联器件，以表明各种额定电流的器件的整体相对性能。

如果选择不合适，如对于所选条件和拓扑结构而言，电压额定值不足，则该工具会发出警告，帮助用户快速找出可行解决方案。

可以从可排序表中选择任何UnitedSiC FET和肖特基二极管，包括TO-220、TO-247、TO-247/4L、DFN8x8封装中的器件以及最近发布的第四代750V器件。

UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla称：“对于想要采用SiC的功率设计师而言，为正确的功率拓扑结构选择正确的器件不应成为一个障碍。所以，我们打造了FET-Jet计算器。对于首次采用SiC或者正寻找最适合不断改进的设计的工程师而言，这个计算器能快速简单地评估UnitedSiC FET在各种功率拓扑结构中的表现，从而避免浪费时间为不适合的器件创建高级模拟，进而加快研发速度。只需几次点击就可以让您向着通往最佳设计的方向前进。”