STM32L0芯片FLASH编程示例及提醒

来源 | 茶花MCU

单页擦除、单字编程以及半页编程的时间都是一样的，大概3.2ms左右，这点在芯片数据手册上也明确出来了。

下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。

这里我先以字编程模式写5个字，然后以半页编程模式对5个半页进行FLASH编程，并记录二者所花的时间，看看字编程时间跟半页编程的是否一致。

另外，在完成5个半页编程之后，又进行了页擦除操作，擦除刚才已编程的5个半页中的1页，即最后应只剩下3个半页的内容【注：对于STM32L0系列芯片，内部FLASH被擦除后内容为全0】。

下面代码截图是基于STM32Cube库来组织的，主要涉及到字编程、半页编程、页擦除三个操作，对应着绿色下划线的3个库函数。

另外，Period1和Period2分别来存放写5个字和5个半页的编程时间，并放在指定的FLASH位置。

编译运行后我们可以看到如下结果：

上面截图是经过运行后芯片内部的部分FLASH空间的内容。5个红色方框围住的数据乃5个字编程后的结果，蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果，但最终只看到3个半页的编程内容，那是因为后面两个半页的内容经页擦除操作后而消失了。

用来统计编程时间的定时器的计数频率为1MHz，显然Period1和Period2基本是相等的，将它们再除以5后所得编程时间都是3.3ms的样子。显而易见，进行批量代码编程时采用半页编程更高效。

前面说了做半页编程时其执行代码需放到RAM运行，该代码在STM32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操作对于不同的IDE在处理上稍有差异。这里基于ARM MDK进行简单配置，划分点RAM出来给它用。

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