安世快讯 | Nexperia与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度合作

近日，基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司(简称UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，并共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。

随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长，基于GaN的主流设计正渐入佳境，势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia GaN FET产品已与UAES在电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器等项目中开展研发合作。 Nexperia氮化镓工艺技术基于成熟可靠的量产工艺，极低的开关品质因数(RDS(on) x QGD)和反向恢复电荷(Qrr)支持高开关频率，同时提供较低的功耗和更高效的功率转换。Nexperia的全球自有化生产基地使我们能够向市场提供真正符合车规级AEC-Q101的产品。

联合汽车电子有限公司为客户提供先进的、完整的汽车动力总成和车身控制系统解决方案，从事汽油发动机管理系统、变速箱控制系统、车身电子、混合动力和电力驱动控制系统的开发、生产和销售。其位于上海、重庆、芜湖、柳州和苏州的五家技术中心拥有世界先进水平的整车、发动机、自动变速箱、电力驱动性能开发实验室，其先进的设备能有效为国内各汽车厂商提供优质的系统开发、零部件开发、标定等工程服务。

Nexperia的高层表示：“新能源汽车电源系统有望在未来主导半导体器件持续增长的市场需求，硅基氮化镓场效应晶体管的功率密度和效率将在汽车电气化应用中发挥关键作用。我们非常认可联合汽车电子有限公司在汽车行业宽广的产品线、行业地位和客户基础，相信我们在氮化镓领域的深入合作将使两家公司能为客户提供更为先进和高效的新能源汽车电源系统解决方案。本月初，我们宣布提高全球产量并增加研发支出，全力支持新产品开发，包括最近在上海开设了新的全球研发中心、扩大了香港的研发机构。我们有意愿加大投资，与UAES共同打造基于GAN工艺的联合实验室，携手推动GaN工艺技术在中国市场的研发和应用，支持我们在全球汽车领域的增长。”