ASML第一台全新EUV TWINSCAN NXE:3600D EUV极紫外光刻机交付

作为全球第一光刻机供应商，荷兰ASML(阿斯麦)今天公布了2021年第二季度财报。

当季，ASML净销售额40亿欧元，毛利率50.9%，净收入10亿欧元，净预订额83亿欧元，其中EUV极紫外光刻机就有49亿欧元，而总的积压订单金额已达175亿欧元。

ASML在财报中还披露，第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户，相比之前的NXE:3400C生产力提高了15-20%，覆盖率(套刻精度)提高了约30%。

不过，ASML未透露接收客户是哪一家。

ASML还表示，正努力增加EUV光刻机在存储行业的量产应用，计划协助三个DRAM内存芯片客户在未来的工艺节点中导入EUV。

ASML EUV光刻机目前还是第一代产品，EUV光源波长13.5nm左右，物镜NA数值孔径0.33，并发展了一系列型号。

最早量产出厂的是NXE:3400B，产能有限，晶圆产能只有125PWH，目前的出货主力是NXE:3400C，产能提升到135WPH，而最新的NXE:3600D产能进一步提升到160WPH，价格据说也达到了1.45亿美元(约合人民币9.38亿元)。

第二代EUV光刻机将会是NXE:5000系列，物镜NA提升到0.55，进一步提高光刻精度，但原计划2023年问世，现在推迟到2025-2026年，而价格预计将突破3亿美元。

第三季度，ASML预计净销售额52-54亿欧元，毛利率51-53%。

EUV光刻机已经成为芯片制造的支柱，台积电和三星等晶圆厂这几年不断追逐5nm和3nm等先进工艺，本身就是EUV光刻机采购大户，再加上现在这几大晶圆厂纷纷扩产建厂，无疑又加大了对EUV光刻机的需求。

而现在除了晶圆厂等逻辑厂商之外，存储厂商也逐渐来到光刻机采用阶段，甚至与ASML签下多年的大单。EUV光刻机的争夺战，逐渐白热化。

晶圆厂拥抱EUV光刻机，英特尔加倍重视

多个研究表明，在三大晶圆厂中，英特尔是迄今为止购买的 EUV工具相对较少，并且尚未开始购买这些极其昂贵、交货时间非常长、供应受限的系统。

据Mizuho Securities Asia Limited的一份关于ASML的报告，其预测了EUV客户台积电、三星、英特尔的购买情况，如下图所示，相对来说，英特尔处于落后地位，这与其在工艺节点的落后有关。

ASML 宣布，其在 2020 年出货了31台EUV工具。虽然这表明 EUV 现已达到成熟，但仍低于其 35 台出货计划。然而，未能达标的部分原因是英特尔有据可查的 7nm 延迟：这减少了 ASML四个单位的出货量。

据了解，只有那些 7nm 或以下的晶圆厂才真正需要基于 EUV光刻机。

而英特尔在3月份宣布，将从2023年开始使用其7nm工艺制造用于客户端PC和高端服务器(开发代号为Meteor Lake和Granite Rapids)的处理器。

英特尔将斥资 200 亿美元在亚利桑那州建立两个领先的制造工厂，这将是“EUV 能力”，这意味着他们将能够生产7nm 及以下的芯片。通过引入EUV光刻技术，同时将制造外包给台积电来争取时间，这似乎是试图重建公司内部开发和制造体系的尝试。

而在日前参加摩根大通的会议时，CEO基辛格又表示，Intel将全面拥抱EUV光刻工艺，大家能够看到Intel对EUV工艺进行多代重大改进，也能看到晶体管级别的重大改进。这也是因为英特尔来到7nm之后，将有更多晶圆(芯片中的层)使用 EUV 进行曝光。

而目前只有十几个最关键的层使用 EUV 进行曝光，这就是英特尔“全面拥抱 EUV”的意思。

台积电和三星两家一直在追逐先进工艺，在EUV光刻机上的布局要多于英特尔。而且台积电和三星均将在美国建厂，这些工厂也都需要EUV光刻机。

据wccftech的报道，台积电的洁净室供应商江西汉唐系统集成有限公司在4月份发表的声明中，提供了有关台积电美国芯片厂设备进展的一些初步细节。该工厂将建在亚利桑那州，也是英特尔的所在地。汉唐董事长陈朝水先生概述了该工厂的合同将于7月完成，设备安装将于明年9月开始。

fanuan System Technology是台积电为荷兰ASML极紫外(EUV)光刻机生产组件的合作伙伴，该公司也将派工程师前往亚利桑那州，预计该工厂的营收将从明年第三季度开始。可想，这家工厂也要采购EUV光刻机。

根据台积电上个月在其技术研讨会上分享的详细信息，该晶圆厂在全球拥有所有这些机器的一半，并负责去年所有基于 EUV 的芯片的 65%的出货量。