低压MOS为车载设备降低功耗，小型表贴封装为车载设备画龙点睛
时间：2021-08-18 08:40:49
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[导读]点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！MOSFET是电路中最基本的元器件，其凭借着开关速度快、导通电压低、电压驱动简单等特点，被广泛应用在各个电子领域之中，其中不乏汽车电子领域方面。众所周知，汽车电子领域对电子产品和元件的把控都有着严格的要求，比如，电子产品的抗干扰能力要强，以防止...
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！
MOSFET是电路中最基本的元器件，其凭借着开关速度快、导通电压低、电压驱动简单等特点，被广泛应用在各个电子领域之中，其中不乏汽车电子领域方面。众所周知，汽车电子领域对电子产品和元件的把控都有着严格的要求，比如，电子产品的抗干扰能力要强，以防止汽车被干扰而导致系统故障；电子产品的体积要尽可能的小，以适应汽车体积的限制；在正常运行下自身不可以有过高的噪声和电磁干扰，以防止干扰汽车上其他电子设备。
因此，东芝就以上需求推出了一款以小型贴片式TSON Advance（WF）封装的MOSFET为主导的产品——XPN3R804NC，来解决车载电子领域中设备体积大，抗干扰能力差，效率低等问题。
电气特性分析
XPN3R804NC具有以下特点：
- 采用带有可焊锡侧翼引脚结构的小型贴片式TSON Advance（WF）的封装，尺寸缩小至3.3mm×3.6mm（典型值）；
- 低导通电阻：RDS(ON)＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）；
- 低漏电流：IDSS＝10µA（最大值）（VDS＝40V）；
- 增强型MOS：Vth＝1.5V-2.5V（VDS＝10V，ID＝0.3mA）；
- 符合AEC-Q101认证。
具体参数如下：（Ta＝25℃）
结构特性分析
XPN3R804NC采用的是东芝第8代U-MOSⅧ-H结构，是高速沟槽结构的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一，其主要应用于AC-DC和DC-DC电源电路设计方案之中。
U-MOSⅧ-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的器件结构设计，在导通电阻和电容（如输入，反向传输和输出电容）之间实现了出色的平衡关系。而且采用的U-MOSⅧ-H结构可以有助于提高电源效率，与之前的旧产品相比，除了降低设备功耗之外还可以降低辐射噪声。十分适合应用于汽车电子领域之中。
应用场景
XPN3R804NC凭借其电源效率高、低功耗、小型贴片式TSON Advance（WF）封装和抗干扰能力强等优势，可以被应用于车载设备、开关稳压器、DC-DC转换器和电机驱动器等汽车电子领域方面的产品中。
作为一家在MOSFET应用方面深耕多年的企业，东芝半导体凭借着对汽车电子市场敏锐的洞察能力和不断地产品迭代创新的科技力量，致力于为全球客户提供先进的产品与优秀的解决方案。未来，东芝也会坚持在技术设计上改进创新，推动车用MOSFET市场发展。
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公司22,000名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,100亿日元（65亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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