想用GD32替换STM32？这些细节一定要知道！
时间：2021-09-13 14:00:00
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[导读]GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的。不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了，下面列一下...
GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的。
不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。
相同的地方我们就不说了，下面列一下不同的地方。
1 内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。
2 主频
使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M
使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。
3 供电
外部供电：GD32外部供电范围是2.6-3.6V，STM32外部供电范围是2-3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。
4 Flash差异
GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系，0等待周期，当0
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的“GD32F103/101系列Flash 128KB及以下的型号，Page Erase典型值100ms， 实际测量60ms左右。”对应的ST 产品Page Erase典型值 20~40ms。
5 功耗
从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
6 串口
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。
GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。
7 ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：
8 FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
9 103系列RAM
不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。
相同的地方我们就不说了，下面列一下不同的地方。
1 内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。
2 主频
使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M
使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M
主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。
3 供电
外部供电：GD32外部供电范围是2.6-3.6V，STM32外部供电范围是2-3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。
4 Flash差异
GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系，0等待周期，当0
Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的“GD32F103/101系列Flash 128KB及以下的型号，Page Erase典型值100ms， 实际测量60ms左右。”对应的ST 产品Page Erase典型值 20~40ms。
5 功耗
从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
6 串口
GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。
GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。
7 ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：
8 FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
9 103系列RAM
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