NAND巨头走向“升维打击”,更高的层数意味着什么?
时间:2021-09-29 15:31:25
[导读]集成电路时代,巨头厂商纷纷将焦点瞄准更高维度的3D,进行“升维打击”。NAND闪存亦如此,2DNAND平面工艺正伴随摩尔定律放缓而逐渐转向3DNAND的三维层面。当2D变为3D,检验NAND闪存是否先进的条件,便顺理成章地变为堆栈层数的提升。这类似机械硬盘增加碟数来提高容量密度的...
集成电路时代,巨头厂商纷纷将焦点瞄准更高维度的3D,进行“升维打击”。NAND闪存亦如此,2D NAND平面工艺正伴随摩尔定律放缓而逐渐转向3D NAND的三维层面。
当2D变为3D,检验NAND闪存是否先进的条件,便顺理成章地变为堆栈层数的提升。这类似机械硬盘增加碟数来提高容量密度的做法,通过增加层数NAND闪存的密度和容量获得了提高、单位成本降低。
Micron(美光科技)率先出货了首款176层NAND闪存,一举刷新了行业记录,这也是美光科技第五代的3D NAND技术。而后,其他企业也陆续开启176层NAND闪存之路。
176层意味着什么?请看以下几组数据:
30%裸片尺寸缩小:176层NAND的紧凑型设计的裸片尺寸比同类最好的竞争产品小30%左右,汽车、工业、消费类和移动等领域的应用,需要使用microSD、球栅阵列SSD、eMMC、通用闪存以及多芯片封装外形尺寸较小的封装形式,而176层NAND是这类空间受限应用的理想选择。
35%读写延迟缩短:176层NAND与美光96层大容量浮动栅极NAND相比读取和写入延迟降低了35%以上,与美光128层替换栅极NAND相比降低了25%以上,层数的进展显著提高了应用性能。
33%传输速度提升:176层NAND最大数据传输速率高达1600MT/s,美光前两代的96层和128层NAND产品为1200MT/s,相比之下提高了33%,更快的ONFI 速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。

毋庸置疑,3D NAND产品的面世为行业降低了成本,创造了巨大的价值。美光的176层NAND同样具有很大的里程碑意义。
回望过去,176层这一数值已是3D NAND早期层数的近10倍,10倍的密度意味着智能手机和固态硬盘能够处理更多的工作、存储更多的内容、让更多的人买得起、更好地改善人们的日常生活。
这将使更多的应用能够采用NAND闪存,并取代HDD等其他传统存储介质。
针对这款产品,
美光联合21ic,特别推出了有趣的小游戏,让你边拿奖品边学干货!
暑夏已过,爽秋来临,这个秋天,美光要带大家玩点不一样的。谁说内存与存储的世界只有无趣的代码的和古板的数据,我们要拒绝平凡、拒绝老套、拒绝平淡无奇,我们要玩出奇趣、玩出刺激、玩出不一样的精彩。本次,美光科技为大家带来好玩且刺激的密室逃脱大游戏。四大关卡,四重奖励,还不赶紧行动起来!

游戏说明
1、本游戏共分为4个密室逃脱关卡,每闯过一关均有机会获得论坛打赏,另凭借星还可兑换惊喜礼品。
2、第一次便挑战成功可获得3星,否则获得2星。
3、美光官微关注、转发、评论、点赞等作为加码项目,可额外获得1颗星奖励。
4、凭借星星数目可以申请兑换奖品哦~每件奖品仅可兑换1次。活动结束后系统将在申请兑换的用户中随机抽取幸运用户发放奖品,并于论坛公布。
奖品展示


↙点击下方“阅读原文”立即参加活动
当2D变为3D,检验NAND闪存是否先进的条件,便顺理成章地变为堆栈层数的提升。这类似机械硬盘增加碟数来提高容量密度的做法,通过增加层数NAND闪存的密度和容量获得了提高、单位成本降低。
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35%读写延迟缩短:176层NAND与美光96层大容量浮动栅极NAND相比读取和写入延迟降低了35%以上,与美光128层替换栅极NAND相比降低了25%以上,层数的进展显著提高了应用性能。
33%传输速度提升:176层NAND最大数据传输速率高达1600MT/s,美光前两代的96层和128层NAND产品为1200MT/s,相比之下提高了33%,更快的ONFI 速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。

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回望过去,176层这一数值已是3D NAND早期层数的近10倍,10倍的密度意味着智能手机和固态硬盘能够处理更多的工作、存储更多的内容、让更多的人买得起、更好地改善人们的日常生活。
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