学子专区—ADALM2000实验：源极跟随器(NMOS)

时间：2021-11-08 17:29:08

关键字： ADI 源极跟随器共漏极配置

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[导读]本次实验的目的是研究简单的NMOS源极跟随器，有时也称为共漏极配置。

目标

本次实验的目的是研究简单的NMOS源极跟随器，有时也称为共漏极配置。

材料

ADALM2000主动学习模块

无焊面包板

跳线

一个2.2 kΩ电阻(RL)

一个小信号NMOS晶体管（M1采用增强模式CD4007或ZVN2110A）

说明

面包板连接如图1和图2所示。波形发生器W1的输出连接至M1的栅极端子。示波器输入1+（单端）也连接至W1输出。漏极端子连接至正极(Vp)电源。源极端子连接至2.2 kΩ负载电阻和示波器输入2+（单端）。负载电阻的另一端连接至负极(Vn)电源。要测量输入-输出误差，可以将2+连接至M1的栅极，2–连接至源极，以显示示波器通道2的差值。

图1.源极跟随器

硬件设置

波形发生器配置为1 kHz正弦波，峰峰值幅度为2 V，偏移为0。示波器通道2的单端输入(2+)用于测量源极的电压。示波器配置为连接通道1+以显示AWG发生器输出。在测量输入-输出误差时，应连接示波器的通道2，以显示2+和2–之间的差值。

图2.源极跟随器面包板电路

程序步骤

配置示波器以捕获所测量的两个信号的多个周期。产生的波形如图3所示。

图3.源极跟随器的输入和输出波形

源极跟随器的增益(VOUT/VIN)理想值为1，但总是略小于1。增益由以下公式1计算得出：

从公式可以看出，要获得接近1的增益，我们可以增大RL或减小rs。也可以看出，rs是ID的函数，ID增大，rs会减小。此外，从电路可以看出，ID与RL相关，如果RL增大，ID会减小。在简单的电阻负载发射极跟随器中，这两种效应相互抵消。所以，要优化跟随器的增益，我们需要找到能在不影响另一方的情况下降低rs或增大RL的方法。需要注意的是，在MOS晶体管中，ID = Is (IG = 0)。

其中，K = μnCox/2，λ可以认为是与工艺技术相关的常数。

从另一个角度来看，因为晶体管Vth本身的DC偏移，在预期的摆幅内输入和输出之间的差值应是恒定的。受简单的电阻负载RL影响，漏电流ID会随着输出上下摆动而升高和降低。我们知道ID是VGS的函数（平方关系）。以+1 V至-1 V的摆幅为例，最小ID = 1 V/2.2 kΩ或0.45 mA，最大ID = 6 V/2.2 kΩ或2.7 mA。因此VGS会发生明显变化。根据这些实验结果，我们能从一个方面改善源极跟随器。

现在可以使用先前学子专区实验中的电流镜来代替源负载电阻，以使放大器晶体管的源极电流固定不变。电流镜能在宽电压范围内获取较为恒定的电流。晶体管中这种较为恒定的电流会导致VGS相当恒定。从另一个角度来看，电流镜中极高的输出电阻可以有效提高RL，但rs保持为电流设定的低值。

加强源极跟随器

附加材料

一个3.2 kΩ电阻（将1 kΩ和2.2 kΩ电阻串联）

一个小信号NMOS晶体管（M1采用ZVN2110A）

两个小信号NMOS晶体管（M2和M3采用CD4007）

说明

面包板连接如图4和图5所示。