Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代大幅提高功率密度
时间：2020-02-14 14:28:43
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[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。
行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。
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