新款350V GaN功率晶体管

据麦姆斯咨询报道，Efficient Power Conversion(EPC，美国宜普电源转换公司)近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050，具有65微欧最高导通电阻(RDS(on))以及26A脉冲输出电流。应用包括电动汽车(EV)充电、太阳能逆变器、电机驱动器和多电平转换器配置，例如用于电信或服务器电源的3电平400 V输入到48 V输出LLC转换器。

EPC2050芯片，1.95 mm x 1.95 mm

EPC2050尺寸仅为1.95 mm x 1.95 mm(3.72 mm2)，因而设计人员无需再在尺寸和性能之间做出取舍。鉴于EPC2050小巧的体积，采用高效率半桥驱动器的栅极驱动器占用的面积比同类硅解决方案小五倍。尽管其芯片级封装尺寸较小，但EPC2050能够比塑料封装的MOSFET更高效地处理散热问题。

EPC首席执行官Alex Lidow称：“350 V EPC2050的问世，使硅技术和eGaN技术在性能和成本方面的差距进一步放大，它相比同类硅MOSFET的尺寸缩小了几乎20倍!”

开发板

EPC9084开发板最大器件电压350 V，半桥采用EPC2050和Silicon Labs Si8274GB1-IM栅极驱动器。这款51 mm x 38 mm电路板专为实现最佳开关性能而设计，包含所有关键组件，便于评估350 V EPC2050 eGaN FET。

价格与供货

EPC2050 eGaN FET批量售价(1000颗)为3.19美元/颗，EPC9084开发板的售价为118.75美元。