MicroSiP器件解析

最初的TPS82671全集成降压转换器模块为全系列器件打开了销路。这一系列器件将全部所需无源组件包含在2.3mm x 2.9mm封装内。你无需添加输入电容器、输出电容器、功率电感器或反馈电阻器;这一切都已经包含在内!图1显示的是MicroSiP器件。

图1：MicroSiP器件包括全部所需组件

TI所具备的集成半导体IC和机械基板的共同设计能力使其能够在1.6A TPS8268180 (435W/cm3) 系列和3A TPS82085 (1370W/cm3) 系列内提供业内领先的功率密度。

TPS8268180在最小尺寸封装内提供最高电流，并且具有针对光模块等通信设备的低噪声。特别是在光模块中，用模块化的电源节省任一小块儿的印刷电路板 (PCB) 空间将为整个系统增加额外通道或数据吞吐量—可实现立竿见影的产品销售优势。目前，输入电压范围可以适应5V电源，在无数的工业系统中可实现更大的灵活性。

近期，采用3A MicroSiL封装的TPS82085可实现针对固态硬盘 (SSD) 和测试与测量设备的最高功率密度。这一款工业友好型封装的安装方式与四方扁平无引线 (QFN) 封装相类似，而与之前MicroSiP的焊锡凸块不同。由于只集成了IC和功率电感器，MicroSiL可以在大约35mm2的总体解决方案尺寸内实现高电流。对于SSD来说，如此小的电源为存储器腾出了更多的空间，而这也是终端用户选择购买SSD的原因所在。

此外，也请不要忘记用于可穿戴和医疗设备应用的创新型TPS82740。虽然它在功率密度方面并未赢得任何奖项(它只是一款200mA器件)，不过说它在6.7mm2 内封装了最关键的功能性却是实至名归。只需想像一下你可以用所有这些组件为整个电源解决方案实现哪些功能，在10μA以下负载情况下，用360nA IQ 的静态电流实现高效率，用于消除电池毫安级关键泄露的负载开关，一个经RF优化的省电模式，在无需线性稳压器和其它组件的情况下，直接为射频供电。