特瑞仕美国公司研究开发中心搬迁通知

特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理：芝宫　孝司)于2017年3月6日将特瑞仕美国公司研究开发中心实施搬迁。

本次特瑞仕美国公司研究开发中心的搬迁和扩大设施，是为了伴随开发项目的增加，扩充研究和开发中不可缺少的评估

设备、分析装置、并力图强化开发环境。

将本研究开发中心搬迁到去年4月在硅谷地区开设的研究开发中心、并扩大设施。总建筑面积为现在的研究开发中心的3倍。此外，伴随研究开发项目的增加、还将相应地积极增加和充实开发人员。

特瑞仕将以此为契机，向开发高附加价值模拟电源IC产品迈出更大的一步。

【特瑞仕美国公司研究开发中心　新开发基地概要】