当前位置:首页 > 电源 > 电源
    未来整机制造业向中国转移趋势减缓,整机市场在经历了多年的高速增长之后将会逐渐饱和,因此无论是电源管理芯片还是功率分立器件,未来中国市场的发展都很难达到近五年来的增长速度。

  中国功率器件市场近年来一直保持快速增长,近五年来,市场复合增长率达27.8%,是半导体产品中市场发展相对较快的产品。但未来整机制造业向中国转移趋势减缓,整机市场在经历了多年的高速增长之后将会逐渐饱和,未来中国市场功率器件增速减缓。从市场格局来看,电源管理芯片无论在市场还是技术方面,欧美厂商都占据绝对优势,但在中、低端领域,中国以及其他地区一些新进入厂家已经具备一定的竞争力。

  电源管理芯片今年有望增长两成

  随着节能产品需求的增多,电源管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多地应用到整机产品中,而且在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下,中国功率器件市场近年来一直保持快速增长,近五年来,市场复合增长率达27.8%,是半导体产品中市场发展相对较快的产品。

  功率器件主要分为功率分立器件以及电源管理IC两大类产品。从市场份额来看,电源管理IC大概占40%,而功率分立器件则占60%,二者广泛应用于各种各样的电子产品之中。

  电源管理芯片经历了多年的快速发展之后,由于产品库存调整、用量增长率放缓以及产品价格下降等诸多因素的影响,市场发展在2007年有所放缓,预计2007年中国电源管理芯片的市场增长率将下降到15%左右,近些年来,增长率更是首次跌落到20%以下。不过由于2007年的市场基数处于一个较低的水平以及未来应用还将稳定增加,因此中国电源管理芯片市场有望在2008年重新回到20%的增长水平。

   从电源管理芯片的产品类型来看,应用最多的两类产品依然是LDO和DC-DC产品,但这两类产品在2007年同时受到价格下降以及用量增速放缓的影响,在电源管理芯片中的市场份额稍有下降。同时,得益于手机等便携产品应用增加的推动,2007年PMU和电源管理等产品的市场增长率相对较高,而且未来PMU、电源管理以及热拔插等产品的市场份额将会有所提高。

    欧美厂商优势明显

  电源管理芯片主要应用于计算机、网络通信、消费电子和工业控制等领域,此外,汽车电子领域虽然所占市场份额较小,但却是发展最快的领域。从未来的发展来看,汽车电子领域仍将是发展最快的领域,其市场份额在未来几年将快速提高。此外,网络通信也将在3G等应用的带动下保持快速的发展,其市场份额也将稳步提高,消费电子、计算机和工业控制领域的发展则会相对稳定。

  技术方面,更高的集成度,更高的功率密度,更强的耐压、耐流能力以及更高的能效等方面一直是电源管理芯片的发展方向,技术的不断更新和发展也将是推动电源管理芯片市场发展的主要因素之一。

  从竞争格局来看,电源管理芯片无论在市场还是技术方面,欧美厂商都占据绝对优势,尤其是美国厂商。虽然ST、NXP和Infineon三家欧洲大厂也有很强的竞争力,但是电源管理芯片只是它们众多产品线中的一个而已,而美国厂商则拥有NS、TI、Fairchild、On Semiconductor、IR和Maxim等众多厂商,而且多为专注于电源管理领域的厂商。电源管理芯片市场上欧美强势的格局已经持续很多年,而且从目前来看,这种格局在未来几年还将继续。虽然欧美厂商在技术和市场上都保持优势,但并不代表中国以及其他地区的新进入者没有机会。目前中低端电源管理芯片的技术门槛对众多有能力的设计公司来说已经不是问题,在中国就有圣邦微电子、长运通、龙鼎、明微和华润矽威等一批从事电源管理芯片研发的企业,虽然产品基本限定在LDO、DC-DC和LED驱动等产品中,但毕竟已经在市场取得一定成功。客观地说,目前这些新进入者无法对欧美厂商形成太大威胁,无论在产品线的完整性还是产品技术方面都明显落后于领先厂商,但是这些厂商在电源管理芯片的中、低端领域已经具备一定的竞争力,未来如果发展良好,在某些领域和产品应用中可以和欧美领先厂商一较高下。

  功率器件增速放缓

  在功率分立器件市场中,IGBT和MOSFET市场都将保持着较高的增长速度,但由于IGBT产品主要应用在高压产品中,市场应用受到一定的限制,所以市场规模要小于MOSFET。而受到消费电子以及高输出电流和高性能要求的计算机市场的带动,低压MOSFET市场在未来将保持着比较快的增长趋势。对于高压MOSFET来说,电源的高能效要求则是影响产品未来发展的主要因素。而随着汽车中IC用量的逐步增多,为了满足这些日益增多的IC对电源的需求,MOSFET的用量也呈现出上升趋势。MOSFET在电动工具等产品中的应用也将推动工业控制领域的发展。

  从工艺技术上看,由于Trench技术能够有效地降低产品的导通电阻,并且具有较大电流处理能力,所以近年来Trench MOSFET在计算机、消费电子等领域中发展快速。目前,Trench MOSFET技术在低压MOSFET产品市场中已被广泛接受,具有很高的市场占有率。在高压MOSFET市场上,随着Trench MOSFET工艺技术的不断提升,虽然产品的耐压能力有了一定的提高,但相对于Planar产品,Trench MOSFET的耐压能力仍有一定的差距。整体上来看,在高压MOSFET市场上,Planar技术仍有一定的发展空间。未来含有高端工艺的平面技术将会是高压MOSFET的发展趋势。

  无论是电源管理芯片还是功率分立器件,未来中国市场的发展都很难达到近五年来的增长速度。直接因素就是未来整机制造业向中国转移趋势的减缓,以及整机市场的增长率在经历了多年的高速增长之后将会逐渐饱和,因而造成的下游整机产量增长的减缓。整机产量增长率的减缓将直接导致功率器件需求量增长的减缓,从而影响功率器件市场的发展,未来5年,预计中国功率器件的复合增长率将在15%左右。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率,设计者需要知道这些参数。例如,设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容,因为这将影响开关速度,从而影响效率。这些信...

关键字: 功率器件 测试测量

2024年6月4日,中国北京--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易...

关键字: 新能源汽车 碳化硅 功率器件

展示高效的EcoGaN™ 和SiC电源解决方案!

关键字: 罗姆 半导体 功率器件

饱和电感是功率器件,通过进入和退出饱和过程的磁滞损耗(而不是涡流损耗或者铜损)吸收电流尖峰能量,主要热功率来自于磁芯。

关键字: 饱和电感 功率器件 磁滞损耗

作者 Mohamad Ali| IBM咨询首席运营官 北京2024年5月24日 /美通社/ -- 生成式AI的兴起几乎在所有面向上给业务带来改变。根据 IBM 商业价值研究院最新的年度 CEO 研究,近60%...

关键字: IBM AI BSP 模型

1200 V器件采用SMD-7封装,性能领先同类产品

关键字: SiC MOSFET 分立器件

新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能

关键字: 栅极驱动器 SiC MOSFET

台北2024年5月21日 /美通社/ -- 提供针对AMD WRX90和TRX50主板优化的DDR5 OC R-DIMM 提供容量128GB(16GBx8)到768GB(96GBx8),速度5600MHz到8...

关键字: AMD 内存 BSP GB

上海2024年5月20日 /美通社/ -- 2024年5月16日,世界知名的生命科学公司 Eppendorf 集团于第二十三届生物制品年会上成功举办了"疫路超越 推流出新"的产品发布会,正式推出大规模...

关键字: RF PEN BSP IMAC

北京2024年5月20日 /美通社/ -- 过去五年里,支付和收款方式日新月异,其发展和变化比过去五十年都要迅猛。从嵌入式数字商务的出现,到"一拍即付"的...

关键字: VI BSP PAY COM
关闭
关闭